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2018年深圳IC設計銷售超100億美元,海思匯頂增長迅猛

本站原創,作者:章鷹,電子發燒友執行副主編。

2019年2月22日,國家集成電路設計深圳產業化基地和深圳市半導體行業協會共同舉辦的2018深圳半導體產業總結大會暨深圳市半導體行業協會會員大會在凱賓斯基酒店隆重召開。

中國半導體協會專家委員會副主任陳賢、國家集成電路設計產業技術創新戰略聯盟副理事長黃學良、深圳市南山區科技創新局局長劉石明、中國半導體行業協會IC設計分會副理事長周生明等領導參會并發表了精彩的演講。深圳市、區各相關部門領導、行業專家及企業代表共計近300人參加此次盛會。大會以不忘初芯,硅積千里為主題,總結過去展望未來,分享產業情況和行業發展新動態。

2018年全球半導體行業保持了兩位數增長,規模達到4767億美元。中國半導體行業全行業銷售預計達到2576.96億元人民幣,比2017年的1945.98億元增長32.42%,增速較去年的28.15%提高了4.27個百分點。手機等應用市場增長趨緩,導致全球半導體行業的增長速度較2017年有所放緩,但縱觀全球半導體行業的發展歷史,二位數的增長依然非常可觀。而中國半導體行業的增長速度較2017年仍然有所上升,中國半導體行業追趕全球領先水平的步伐不減。現在全球集成電路產業,美國、日本、韓國和臺灣地區都走在我們中國大陸前面,我們還有很長的路需要追趕。

雖然手機等傳統消費電子行業增長趨緩,但5G商用化,物聯網應用逐漸規模化落地,安防由高清化向智能化的演進,新能源乘用車市場的興起,人工智能、AIoT、自動駕駛等領域的快速發展為全球半導體行業增添了新動力。這些新興的應用領域,較之海外市場,中國市場的增長勢頭甚至更加明顯,再加上核心元器件的國產化趨勢,中國半導體行業呈現良好的發展態勢。

海思、匯頂等企業為代表,深圳集成電路企業抓住了行業發展的趨勢,在2018年取得了優異的成績。整體來看,深圳集成電路行業2018年預計實現銷售897.94億元,其中集成電路設計業銷售額758.7億元,增速達到32.42%。深圳設計業銷售額在所有中國大陸城市中排名第一,也是唯一一個超過100億美金銷售額的城市。


數據來源:2018中國半導體行業協會集成電路設計分會年會

深圳市半導體行業協會自2002年成立以來,一直以搭建交流平臺,服務深圳企業為己任,是國內歷史最悠久的集成電路領域專業服務組織之一,伴隨著中國、深圳集成電路行業近20年的發展,了解行業趨勢,洞察行業痛點,明晰企業需求,具備行業服務能力。2018年,順應行業發展趨勢,推出了一系列的創新服務舉措。

2018年,深圳市半導體行業協會在政府相關部門的支持和指導下建設了知識產權、公平貿易保護工作站。這些工作站的設立與深圳集成電路行業尤其是設計業大量進入到原創創新的發展階段密切相關。舉例來說,海思在5G手機芯片、匯頂在屏下指紋芯片、奧比中光在3D結構光芯片、云天勵飛在人工智能安防芯片等領域的研發在全球都具備一定的開創性和領先性。這些創新領域的產品開發,投入大、風險高,需要良好的知識產權保護和服務體系,公平的貿易體系支撐,企業才更有動力和決心在創新性的研發上持續投入。

2018年,深圳市半導體行業協會成立了存儲分會。這是深圳市半導體行業成立的首個細分領域分會。存儲是中國半導體行業卡脖子領域,近年來從國家到產業界都增加了在存儲領域的投入。深圳更涌現出佰維存儲等一批在存儲領域里有所建樹的優秀企業。存儲分會的成立,將會進一步促進深圳半導體存儲領域的快速發展。

除此之外,2018年協會還舉辦了深圳集成電路創新應用高峰論壇,吸引了業內700余人次參加,為歷屆之最,在整個行業也產生了較大的影響。而日常的產業跟蹤、行業調研,企業服務、培訓交流更延續了多年來一貫的高質量和高頻次,在會員企業及至整個行業中都獲得了高度好評。

在全行業被高度關注,發展態勢良好的大背景下,2018年深圳市半導體行業協會繼續提升服務能力,創新服務方式,深耕細分領域,取得了長足進步,會員數量首次突破200家,較2017年增長42家達到213家。2019年,深圳市半導體行業協會將繼續承擔好政府和企業溝通的橋梁作用,產業資源和企業對接的平臺作用,更加充分的發揮會員企業間互動的大家庭的角色定位和組織作用,為深圳半導體行業的持續健康發展貢獻力量。

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BAS16T 100 V開關二極管

BAS16W 100 V開關二極管

信息開關二極管設計用于超高速開關應用。該器件采用SC-70封裝,專為低功耗表面貼裝應用而設計。 可提供無鉛封裝 適用于汽車和其他應用的S前綴,需要獨特的站點和控制變更要求; AECQ101合格且PPAP能力 電路圖、引腳圖和封裝圖
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BAS16W 100 V開關二極管

BAS16SL 小信號二極管

信息小信號二極管 低正向壓降 快速開關 非常小的薄型 最大剖面高度為0.43mm 尺寸為1.0 x 0.6mm
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BAS16SL 小信號二極管

BAS16P2 100 V開關二極管

信息 BAS16P2T5G開關二極管是我們廣受歡迎的SOT-23三引線器件的衍生產品。它專為開關應用而設計,安裝在SOD-923表面該封裝非常適合低功率表面貼裝應用,其中電路板空間非常寶貴。 極小的SOD-923封裝
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BAS16P2 100 V開關二極管

BAS16 (Legacy Fairchild)開關二極管,85 V 200 mA

信息 SOT-23封裝中的開關二極管。 高 - 速度切換應用
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BAS16 (Legacy Fairchild)開關二極管,85 V 200 mA

BAS16DXV6 雙開關二極管,100 V

信息采用SOT-563封裝的雙開關二極管。 引腳表面處理:100%無光澤錫(錫) 合格回流焊溫度:260°C 超小型SOD-523封裝 適用于汽車和其他應用的S前綴,需要獨特的現場和控制變更要求; AECQ101合格且PPAP能力 電路圖、引腳圖和封裝圖
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BAS16DXV6 雙開關二極管,100 V

BAS116T 75 V開關二極管

信息開關二極管專為高速開關應用而設計。該器件采用SC-75表面貼裝封裝,非常適合自動插入。 低漏電流應用 中速開關時間 這些器件是無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準
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BAS116T 75 V開關二極管

BAS16H 100 V開關二極管

信息開關二極管專為高速開關應用而設計。 S汽車及其他應用的前綴,需要獨特的現場和控制變更要求; AECQ101合格且PPAP能力 電路圖、引腳圖和封裝圖
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BAS16H 100 V開關二極管

BAS116L 75 V開關二極管

信息開關二極管專為高速開關應用而設計。該器件采用SOT-23表面貼裝封裝,非常適合自動插入。 低漏電流應用 中速開關時間 8 mm卷帶和卷盤 - 使用BAS116LT1訂購7英寸/ 3,000單位卷軸 Pb - 免費套餐。 汽車和其他應用的S前綴,需要獨特的站點和控制變更要求; AECQ101合格且PPAP能力 電路圖、引腳圖和封裝圖
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BAS116L 75 V開關二極管

BAR43 肖特基二極管

信息 BAR43 此產品是一般用途,適用于許多不同的應用。
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BAR43 肖特基二極管

BAR43C 肖特基二極管

信息 BAR43C 此產品是一般用途,適用于許多不同的應用。
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BAR43C 肖特基二極管

BAR43S 肖特基二極管

信息 BAR43S 此產品是一般用途,適用于許多不同的應用。
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BAR43S 肖特基二極管

BAL99L 70 V開關二極管

信息開關二極管專為高速開關應用而設計。該器件采用SOT-23表面貼裝封裝,非常適合自動插入。 無鉛封裝可用 電路圖、引腳圖和封裝圖
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BAL99L 70 V開關二極管

A5191HRT 工業HART協議調制解調器

信息 A5191HRT是一款單芯片CMOS調制解調器,適用于高速公路可尋址遠程傳感器(HART)現場儀表和主機。調制解調器和一些外部無源組件提供滿足HART物理層要求所需的所有功能,包括調制,解調,接收濾波,載波檢測和發送信號整形。 A5191HRT與SYM20C15引腳兼容。有關引腳與SYM20C15兼容性的詳細信息,請參見引腳說明和功能描述部分。 A5191HRT使用每秒1200位的相位連續頻移鍵控(FSK)。為了節省功率,接收電路在發送操作期間被禁用,反之亦然。這提供了HART通信中使用的半雙工操作。 低功耗 Bell 202移位頻率為1200 Hz和2200 Hz 單芯片,半 - 雙工1200比特FSK調制解調器 發送信號波形整形 接收帶通濾波器 滿足HART物理層要求 CMOS兼容 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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A5191HRT 工業HART協議調制解調器

CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

信息 CAT25128是一個128 kb串行CMOS EEPROM器件,內部組織為16kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。該器件通過片選()輸入啟用。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 輸入可用于暫停與CAT25128設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。適用于新產品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和軟件保護 低功耗CMOS技術 SPI模式(0,0和1,1) 工業和擴展溫度范圍 自定時寫周期 64字節頁寫緩沖區 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或全部EEPROM陣列 1,000,000編程/擦除周期 100年數據保留< / li> 8引腳PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盤TDFN,UDFN封裝 此器件無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準 具有永久寫保護的附加標識頁...
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CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

信息 CAT25256是一個256 kb串行CMOS EEPROM器件,內部組織為32kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。該器件通過片選()輸入啟用。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。輸入可用于暫停與CAT25256設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。適用于新產品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字節頁面寫緩沖區 具有永久寫保護的附加標識頁(新產品) 自定時寫周期 硬件和軟件保護 100年數據保留 1,000,000編程/擦除周期 低功耗CMOS技術 塊寫保護< / li> - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 工業和擴展溫度范圍 8引腳PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盤UDFN和TDFN封裝 此器件無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準...
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CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

信息 CAT25040是一個4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,內部組織為512x8位。安森美半導體先進的CMOS技術大大降低了器件的功耗要求。它具有16字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。該器件通過片選()啟用。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 輸入可用于暫停與CAT25040設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0和1,1) 16字節頁面寫入緩沖區 自定時寫入周期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000編程/擦除周期 100年數據保留 工業和擴展溫度范圍 PDIP,SOIC,TSSOP 8引腳和TDFN,UDFN 8焊盤封裝 這些器件無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準...
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CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,內部組織為1024x8 / 2048x8位。它們具有32字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。該器件通過片選()輸入啟用。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 輸入可用于暫停與CAT25080 / 25160設備的任何串行通信。這些器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0和1,1) 32字節頁寫緩沖區 自定時寫周期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或全部EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000個編程/擦除周期 100年數據保留 工業和擴展溫度范圍 符合RoHS標準的8引腳PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盤TDFN,UDFN封裝...
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CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分頻器

信息 MC10 / 100EP32是一個集成的2分頻器,具有差分CLK輸入。 V 引腳是內部產生的電源,僅適用于該器件。對于單端輸入條件,未使用的差分輸入連接到V 作為開關參考電壓。 V 也可以重新連接AC耦合輸入。使用時,通過0.01μF電容去耦V 和V ,并限制電流源或吸收至0.5mA。不使用時,V 應保持開路。復位引腳是異步的,并在上升沿置位。上電時,內部觸發器將達到隨機狀態;復位允許在系統中同步多個EP32。 100系列包含溫度補償。 350ps典型傳播延遲 最大頻率> 4 GHz典型 PECL模式工作范圍:V = 3.0 V至5.5 V V = 0 V NECL模式工作范圍:V = 0 V ,其中V = -3.0 V至-5.5 V 打開輸入默認狀態< / li> 輸入安全鉗位 Q輸出打開或V 無鉛封裝可用時默認為低電平 < / DIV>...
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MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分頻器
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