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2018年深圳IC设计销售超100亿美元,海思汇顶增长迅猛

本站原创,作者:章鹰,电子发烧友执行副主编。

2019年2月22日,国家集成电路设计深圳产业化基地和深圳市半导体行业协会共同举办的2018深圳半导体产业总结大会暨深圳市半导体行业协会会员大会在凯宾斯基?#39057;?#38534;重召开。

中国半导体协会专家委员会副主任陈贤、国家集成电路设计产业技术创新战略联盟副理事长黄学良、深圳市南山区科技创新局局长刘石明、中国半导体行业协会IC设计分会副理事长周生明等领导参会并发表了精彩的演讲。深圳市、区各相关部门领导、行业专家及企业代表共计近300人参加此次盛会。大会以不忘初芯,硅积千里为主题,总结过去展望未来,分享产业情况和行业发展新动态。

2018年全球半导体行业保持了两位数增长,规模达到4767亿美元。中国半导体行?#31561;?#34892;业销售预计达到2576.96亿元人民币,比2017年的1945.98亿元增长32.42%,增速较去年的28.15%提高了4.27个百分点。手机等应用市场增长趋?#28023;?#23548;致全球半导体行业的增长速度较2017年?#20852;?#25918;?#28023;?#20294;纵观全球半导体行业的发展历史,二位数的增长依然非常可观。而中国半导体行业的增长速度较2017年仍然?#20852;?#19978;升,中国半导体行业追赶全球领?#20154;?#24179;的步伐不减。现在全球集成电路产业,美国、日本、韩国和台湾地区都走在我们中国大陆前面,我们还有很长的路需要追赶。

虽然手机等传统消费电子行业增长趋?#28023;?#20294;5G商用化,物联网应用逐渐规模化落地,安防由高清化向智能化的演进,新能源乘用车市场的兴起,人工智能、AIoT、自动驾驶等领域的快速发展为全球半导体行业增添了新动力。这些新兴的应用领域,?#29616;?#28023;外市场,中国市场的增长势?#39134;?#33267;更?#29992;?#26174;,再加上核心元器件的国产化趋势,中国半导体行业呈现良好的发展态势。

海思、汇顶等企业为代表,深圳集成电路企业抓住了行业发展的趋势,在2018年取得了优异的成绩。整体来看,深圳集成电路行业2018年预计实现销售897.94亿元,其中集成电路设计业销售额758.7亿元,增速达到32.42%。深圳设计业销售额在所有中国大陆城市中排名第一,?#24425;?#21807;一一个超过100亿美金销售额的城市。


数据来源:2018中国半导体行业协会集成电路设计分会年会

深圳市半导体行业协会自2002年成立以来,一直以搭建交流平台,服务深圳企业为己任,是国内历史最悠久的集成电路领域专业服务组织之一,伴随着中国、深圳集成电路行业近20年的发展,了解行业趋势,洞察行业痛点,明晰企业需求,具备行业服务能力。2018年,顺应行业发展趋势,推出了一系列的创?#36335;?#21153;举措。

2018年,深圳市半导体行业协会在政府相关部门的支持和指导下建设了知识产权、公平贸易保护工作站。这些工作站的设立与深圳集成电路行业尤其是设计业大量进入到原创创新的发展阶段密切相关。举例来说,海思在5G手机芯片、汇顶在屏下指纹芯片、奥比中光在3D结构光芯片、云天励飞在人工智能安防芯片等领域的研发在全球都具备一定的开创?#38498;?#39046;先性。这些创新领域的产品开发,投入大、风险高,需要良好的知识产权保护和服务体系,公平的贸易体系支撑,企业才更有动力和决心在创新性的研发上?#20013;?#25237;入。

2018年,深圳市半导体行业协会成立了存储分会。这是深圳市半导体行业成立的首个细分领域分会。存储是中国半导体行业卡脖子领域,近年?#21019;?#22269;?#19994;?#20135;业界都增加了在存储领域的投入。深圳更涌现出佰维存储等一批在存储领域里?#20852;?#24314;树的优秀企业。存储分会的成立,将会进一步促进深圳半导体存储领域的快速发展。

除此之外,2018年协会还举办了深圳集成电路创新应用高峰论坛,吸引了业内700余人次参加,为历届之最,在整个行业也产生了较大的影响。而日常的产业跟踪、行业调研,企业服务、培?#21040;?#27969;更?#26377;?#20102;多年来?#36824;?#30340;高质量和高频次,在会员企业及至整个行业中都获得了高度好评。

在全行业被高度关注,发展态势良好的大背景下,2018年深圳市半导体行业协会继续提升服务能力,创?#36335;?#21153;方式,深耕细分领域,取得了长足进步,会员数量首次?#40644;?00家,较2017年增长42家达到213家。2019年,深圳市半导体行业协会将继续承担好政府和企业沟通的桥梁作用,产业资源和企业对接的平台作用,更加充分的发挥会员企业间互动的大家庭的角色定位和组织作用,为深圳半导体行业的?#20013;?#20581;康发展贡献力量。

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发表于 03-19 08:18 ? 80次 阅读
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一款仅有3mm×6mm大小的类脑光驱动芯片

长久以来,科学家?#23884;?#20110;开发模拟人类大脑神经元连接方式的芯片具有极高的兴趣。有?#33455;?#26174;示,大脑中数以万亿....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 03-18 18:01 ? 865次 阅读
一款仅有3mm×6mm大小的类脑光驱动芯片

华为新机渲染图亮相 红米Note 7 Pro P2i?#26723;?0%入水量

现如今,手机厂商在手机的开发上对智能手机显示屏的屏占比要求是越来越高,为了提高手机显示屏的屏占比就相....
的头像 牵手?#40644;?#26790; 发表于 03-18 17:13 ? 1173次 阅读
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三星A60真机照亮相 中兴AXON S新机疑?#30772;?#20809;

在日前,有一组疑似属于中兴通讯AXON系列的AXON S新产品的组?#21152;?#20102;信息透露。
的头像 牵手?#40644;?#26790; 发表于 03-18 16:39 ? 847次 阅读
三星A60真机照亮相 中兴AXON S新机疑?#30772;?#20809;

TOF相机优缺点分析及其应用领域

作为TOF的相机的核?#27169;琓OF芯片每一个像元对入射光往返相机与物体之间的相位?#30452;?#36827;行纪录。该传感器结....
的头像 传感器技术 发表于 03-18 16:17 ? 241次 阅读
TOF相机优缺点分析及其应用领域

天猫芯片节狂?#29420;?#36935;,CYPRESS四重福利等你来

慕尼黑上海电子展遇上了阿里天猫芯片节爱,就是这么巧! 有爱,自然就?#33455;?#21916;的火(cu)花(xiao): 惊喜一:【0.01折整点抢购】开...
发表于 03-18 11:04 ? 138次 阅读
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天猫芯片节CYPRESS倾情回馈,最全优惠攻略都在这里了!

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发表于 03-18 10:50 ? 119次 阅读
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慕尼黑电子展遇上天猫芯片节,CYPRESS派发重磅福利

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发表于 03-18 10:38 ? 128次 阅读
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CYPRESS邀你参加:慕尼黑电子展+天猫芯片节

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发表于 03-18 10:28 ? 325次 阅读
CYPRESS邀你参加:慕尼黑电子展+天猫芯片节

请?#35270;?#20154;知道这个芯片是什么吗?哪里可以查到数据手册?

发表于 03-14 11:22 ? 291次 阅读
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AD53509G 单芯片、高性能驱动器/比较器有源负载

和特点 产品详情 AD53509是一款单芯片器件,用于在ATE VLSI和存储器测试仪中执行驱动器、比较器和有源负载的引脚电子功能。此外,它还内置一个用于有源负载的肖特基二极管桥和一个VCOM缓冲器。 驱动器采用专有设计,提供三种有源状态:数据高电平状态、数据低电平状态?#25512;?#38480;状态,以及一种抑制状态。输出电压?#27573;?#20026;?2 V至+7 V,支持多种测试设备。整个信号?#27573;?#20869;的输出漏电流典型值小于250 nA。 双通道比较器的输入?#27573;?#19982;驱动器输出?#27573;?#30456;同,内?#30431;?#23384;器并提供ECL兼容型输出。输出能够驱动端接到?2 V电压的50 ?#24863;?#21495;线路。信号跟踪能力大于>5 V/ns。有源负载可以?#32654;?#25552;供最高40 mA的负载电流,整个设置?#27573;?#20869;的线性?#20219;?#24046;小于10 μA。IOH、IOL和缓冲VCOM均可独立调整。片上肖特基二极管具有高速开关和低电容特性。 片内还集成温度传感器,其作用是指示DCL的表面?#38706;取?#21487;以利用此信息来测量θJC和θJA,或者在失去正常冷却功能时提示报警。传感器输出是一个与绝对温度成比例的吸电流。增益被调整到1.0 μA/K的标?#28006;怠?#20363;如,可以利用一个连接在10 V电压与THERM引脚之间的10 kΩ电阻来检测输出电流。该电阻上的压降为...
发表于 02-22 12:31 ? 0次 阅读
AD53509G 单芯片、高性能驱动器/比较器有源负载

ADATE305 250 MHz双通道集成DCL,提供电平设置DAC、单引脚PMU和单芯片(Per Chip) VHH功能

和特点 驱动器欲了解更多信息,请参考数据手册比较器窗口和差?#30452;?#36739;器输入等效带宽:500 MHz负载最大±12 mA电流能力单引脚PMU欲了解更多信息,请参考数据手册电?#25509;?#20102;解更多信息,请参考数据手册HVOUT输出缓冲器输出?#27573;В? V至13.5 V100引脚14 mm × 14 mm TQFP_EP封装功?#27169;好?#36890;道900 mW(空载) 产品详情 ADATE305是一款完整的单芯片解决方案,用于在ATE应用中执行驱动器、比较器和有源负载(DCL)、单引脚(Per Pin) PMU、直流电平的引脚电子功能。它还内置一个HVOUT驱动器和VHH缓冲器,能够产生最高13.5 V的电压。驱动器提供三种有源状态:数据高电平状态、数据低电平状态?#25512;?#38480;状态,以及一种抑制状态。抑制状态与集成动态箝位?#40644;?#20351;用?#20445;?#26377;利于实现高速有源端接。通过调整正负电源电压,ADATE305支持两?#36136;?#20986;电压?#27573;В?2.0 V至+6.0 V和?1.5 V至+6.0 V。ADATE305既可以用作双单端驱动/接收通道,也可以用作单差分驱动/接收通道。每个通道都提供用于功能测试的高速窗口比较器,以及带FV/FI和MV/MI功能的单引脚PMU。DCL功能所需的全部直流电平?#21152;?#29255;内14位DAC产生。单引脚PMU具有一...
发表于 02-22 12:31 ? 18次 阅读
ADATE305 250 MHz双通道集成DCL,提供电平设置DAC、单引脚PMU和单芯片(Per Chip) VHH功能

ADATE304 200 MHz双通道集成DCL,提供电平设置DAC、单引脚PMU和单芯片(Per Chip) VHH功能

和特点 驱动器3电平驱动器,提供高阻态模式和内置箝位电路精密调整的输出电阻低泄漏模式:<10 nA(典型?#25285;?#30005;压?#27573;В?2.0 V至+6.0 V脉冲宽带:2.4 ns(最小?#25285;? V端接比较器窗口和差?#30452;?#36739;器输入等效带宽:500 MHz负载最大±12 mA电流能力单引脚PMU驱动电压?#27573;В?2.0 V至+6.0 V5种电流?#27573;В?2 mA、2 mA、200 μA、20 μA、2 μA电平14位DAC提供DCL电平校准的INL典型值小于±5 mV16位DAC提供PMU电平FV模式下校准的INL线性度典型值小于±1.5 mVHVOUT输出缓冲器输出?#27573;В? V至13.5 V84引脚、9 mm × 9 mm倒装芯片BGA封装 功?#27169;好?#36890;道900 mW(空载) 产品详情 ADATE304是一款完整的单芯片解决方案,用于在ATE应用中执行驱动器、比较器和有源负载(DCL)、单引脚(Per Pin) PMU、直流电平的引脚电子功能。它还内置一个HVOUT驱动器和VHH缓冲器,能够产生最高13.5 V的电压。驱动器提供三种有源状态:数据高电平状态、数据低电平状态?#25512;?#38480;状态,以及一种抑制状态。抑制状态与集成动态箝位?#40644;?#20351;用?#20445;?#26377;利于实现高速有源端接。通过调整正负电源电压,ADATE304支持两?#36136;?#20986;电压?#27573;В?..
发表于 02-22 12:31 ? 35次 阅读
ADATE304 200 MHz双通道集成DCL,提供电平设置DAC、单引脚PMU和单芯片(Per Chip) VHH功能

LTC2942-1 具内部检测电阻器和温度/电压测量功能的 1A 电池电量测量芯片

和特点 可指示累积的电池充电和放电电量 SMBus/I2C 接口 集成 50mΩ 高?#24605;?#27979;电阻器 ±1A 检测电流?#27573;? 高准确度模拟积分 ADC 负责测量电池电压和温度 集成化温度传感器 1% 电?#36141;统?#30005;准确度 可配置报警输出/充电完成输入 2.7V 至 5.5V 工作?#27573;? 静态电流小于 100μA 小外形 6 引脚 2mm x 3mm DFN 封装 产品详情 LTC?2942-1 可测量手持式 PC 和便携式产品应用中的电池充电状态、电池电压和芯片?#38706;取?#20854;工作?#27573;?#38750;常适合于单节锂离子电池。一个精准的库仑计量器负责对流经位于电池正端子和负载或充电器之间的一个检测电阻器的电流进行积分运算。电池电压和片内温度利用一个内部 14 位无延迟增量累加 (No Latency ΔΣ?) ADC 来测量。所测量的三种物理参数值 (电荷、电压和温度) 被存储于可通过板上 SMBus/I2C 接口进行存取的内部寄存器中。 LTC2942-1 具有针对所有三种测量物理量的可编程高门限和低门限。如果超过了某个编程门限,则该器件将采用 SMBus 报警协议或通过在内部状态寄存器中设定一个标?#25250;创?#36865;一个报警信号。 集成检测电阻 LTC2942 否 LTC2942-1 是 应用 低功率手持式产品 蜂窝电话 M...
发表于 02-22 12:23 ? 0次 阅读
LTC2942-1 具内部检测电阻器和温度/电压测量功能的 1A 电池电量测量芯片

HMC655-DIE 固定、6 dB无源衰减器芯片,DC - 50 GHz

和特点 宽带宽: DC - 50 GHz 9款衰减器产品:固定电平:0、2、3、4、6、10、15和20 dB 功率处理: +25 dBm HMC651和HMC658裸片尺寸: 0.57 x 0.45 x 0.1 mm HMC650, HMC652, HMC653, HMC654,?HMC655, HMC656 和HMC657裸片尺寸: 0.42 x 0.45 x 0.1 mm产品详情 HMC650/651/652/653/654/655/656/657/658是一系列宽带固定值50 Ω匹配衰减器芯片,提供0、2、3、4、6、10、15和20 dB相对衰减电平。 这些无源旋转器和衰减器非常适合需要极端平坦衰减?#32479;?#33394;的VSWR与频?#20351;?#31995;的微带、混合及多芯片模块应用。 宽带衰减器采用低电感片内过孔,无需额外的接地连接。 HMC650至HMC658背面?#24179;穡?#36866;合共晶或?#36153;?#26641;脂芯片贴装。 所有9款产品均可通过相应的产品型号单独购买,或购买HMC-DK006固定衰减器芯片设计套件(含10件)。应用 光纤产品 微波无线电 军事和太空混合器件 测试与测量 科研仪器 RF/微波电路原型制作 方框图...
发表于 02-22 12:18 ? 18次 阅读
HMC655-DIE 固定、6 dB无源衰减器芯片,DC - 50 GHz

HMC365-DIE InGaP HBT 4?#21046;?#33455;片,DC - 13 GHz

和特点 超低SSB相位噪声: -151 dBc/Hz 宽带宽 输出功率: 5 dBm 单直流电源: +5V 小尺寸: 1.30 x 0.69 x 0.1 mm 产品详情 HMC365是低噪声的4?#21046;?#38745;态?#21046;?#22120;,使用InGaP GaAs HBT技术,拥有1.30 x 0.69 mm的小巧尺寸。此器件在DC(使用?#35762;?#36755;入)至13 GHz的输入频率下工作,使用+5V DC单电源。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-151 dBc/Hz,有助于用户保持良好的系统噪声性能。 应用 卫星通信系统 光纤产品 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT方框图...
发表于 02-22 12:17 ? 9次 阅读
HMC365-DIE InGaP HBT 4?#21046;?#33455;片,DC - 13 GHz

HMC-ABH209 中等功率放大器芯片,55 - 65 GHz

和特点 输出IP3: +25 dBm P1dB: +16 dBm 增益: 13 dB 电源电压: +5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 2.2 x 1.22 x 0.1 mm 产品详情 THMC-ABH209是一款高动态?#27573;А?#20004;级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频?#21490;段?#20026;55至65 GHz。 HMCABH209提供13 dB增益,采用+5V电源电压?#26412;?#26377;+16 dBm输出功率(1dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 /p>HMC-ABH209 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 ?#22363;?高容量链路 无线LAN网桥 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:15 ? 0次 阅读
HMC-ABH209 中等功率放大器芯片,55 - 65 GHz

HMC-AUH320 中等功率放大器芯片,71 - 86 GHz

和特点 增益: 16 dB (76 GHz) P1dB: +15 dBm 电源电压: +4V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 2.20 x 0.87 x 0.1 mm 产品详情 HMC-AUH320是一款高动态?#27573;?#30340;四级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,在71至86 GHz的频率下工作。 HMC-AUH320在74 GHz频率下提供16 dB的增益,在1 dB压缩点提供+15 dBm的输出功率,采用+4V电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-AUH320 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 ?#22363;?高容量链路 无线LAN网桥 汽车雷达 军事和太空 E波段通信系统 方框图...
发表于 02-22 12:15 ? 0次 阅读
HMC-AUH320 中等功率放大器芯片,71 - 86 GHz

HMC562 宽带驱动放大器芯片,2 - 35 GHz

和特点 P1dB输出功率: +12 dBm 增益: 12.5 dB 输出IP3: +19 dBm 电源电压: +8V (80 mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸:3.12 x 1.42 x 0.1 mm 产品详情 HMC562是一款GaAs MMIC PHEMT分布式驱动放大器裸片,在2至35 GHz的频率下工作。 该放大器提供12.5 dB增益,+27 dBm输出IP3和12 dBm输出功率(1 dB增益压缩),功耗为80 mA(采用+8V电源)。 HMC562非常适合EW、ECM和雷达驱动放大器应用。 HMC562放大器I/O是隔直的,内?#31185;?#37197;50 Ω阻抗,方便集成到多芯片模块(MCM)。 所有数据均由通过最短0.31mm (12 mil)的两条0.075mm (3 mil)线?#22797;?#36830;接的芯片获取。应用 军事和太空 测试仪器仪表 光纤产品 方框图...
发表于 02-22 12:15 ? 0次 阅读
HMC562 宽带驱动放大器芯片,2 - 35 GHz

HMC-ALH376 低噪声放大器芯片,35 - 45 GHz

和特点 噪声系数: 2 dB 增益: 16 dB (40 GHz) P1dB输出功率: +6 dBm 电源电压: +4V (87 mA) 裸片尺寸: 2.7 x 1.44 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH376是一款GaAs MMIC HEMT三级、自偏置、低噪声放大器芯片,工作频?#21490;段?#20026;35至45 GHz。该放大器提供16 dB增益、2 dB噪声系数和+6 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+4V单电源时功?#24917;?#20026;87 mA。由于尺寸较小(3.9 mm2),这款自偏置LNA适合集成到混合组件或多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 测试设备和传感器 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:14 ? 0次 阅读
HMC-ALH376 低噪声放大器芯片,35 - 45 GHz

HMC519-DIE GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器芯片,18 - 32 GHz

和特点 噪声系数: 2.8 dB 增益: 15 dB OIP3: 23 dBm 单电源: +3V (65 mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 2.27 x 1.32 x 0.1 mm 产品详情 HMC519是一款高动态?#27573;aAs PHEMT MMIC低噪声放大器芯片,工作频?#21490;段?#20026;18至32 GHz。 HMC519提供15 dB小信号增益、2.8 dB噪声系数及高于23 dBm的输出IP3。 由于尺寸较小,该芯片可轻松集成到混合组件或多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 ohm测试?#33455;?#20013;的芯片测得,该?#33455;?#36890;过直径为0.075 mm (3 mil)、最小长度0.31 mm (12 mil)的焊线连接。 也可用两根直径为0.025mm (1 mil)的焊线进行RFIN和RFOUT连接。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 测试设备和传感器 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:14 ? 25次 阅读
HMC519-DIE GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器芯片,18 - 32 GHz

HMC-ALH508 低噪声放大器芯片,71 - 86 GHz

和特点 噪声系数: <5 dB P1dB: +7 dBm 增益: 13 dB 电源电压: +2.4V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.2 x 1.6 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH508是一款三级GaAs HEMT MMIC低噪声放大器(LNA),工作频?#21490;段?#20026;71至86 GHz。 HMC-ALH508具有13 dB小信号增益、4.5 dB噪声系数和+7 dBm输出功率(1 dB压缩),?#30452;?#37319;用2.1V和2.4V两个电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 这款多功能LNA兼容传统的芯片贴装方式以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 ?#22363;?高容量链路 无线局域网(LAN) 汽车雷达 军事和太空 E波段通信系统 方框图...
发表于 02-22 12:13 ? 0次 阅读
HMC-ALH508 低噪声放大器芯片,71 - 86 GHz

AD847 高速、低功耗、单芯片运算放大器

和特点 出众的性能高单位增益带宽:50 MHz低电源电流:5.3 mA高压摆率:300 V/μs出色的视频特性驱动任何容性负载快速的0.1%建立时间(10 V步进):65 ns出色的直流性能5.5 V/mV高开环增益(PLOAD = 1 k?#31119;?#20302;输入失调电压:0.5 mV额定工作电压:±5 V和±15 V提供多种选择塑料DIP和SOIC封装Cerdip封装裸片形式MIL-STD-883B工?#31449;?#24102;和卷盘(EIA-481A标准)提供双通道版本:AD827(8引脚)LM6361的增强替代产品 产品详情 AD847代表高速放大器的一个?#40644;疲?#23454;现了低成本、低功耗的出众交流和直流性能。出色的直流性能表现在它±5 V的规格?#25285;?#21253;括3500 V/V的开环增益(500Ω负载)和0.5 mV的低输入失调电压。共模抑制最低为78 dB。输出电压摆幅为±3 V(负载低至150?#31119;DI公司还提供其他超过30种高速放大器,从低噪声AD829(1.7nV/√Hz)到终极的视频放大器AD811(差分增益0.01%,差分相位0.01°)。 方框图...
发表于 02-22 12:12 ? 0次 阅读
AD847 高速、低功耗、单芯片运算放大器

HMC-ALH216 低噪声放大器芯片,14 - 27 GHz

和特点 噪声系数: 2.5 dB (20 GHz) 增益: 18 dB P1dB输出功率: +14 dBm 电源电压: +4V (90 mA) 裸片尺寸: 2.25 x 1.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH216是一款GaAs MMIC HEMT宽带低噪声放大器芯片,工作频?#21490;段?#20026;14至27 GHz。该放大器提供18 dB增益、2.5 dB噪声系数和+14 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+4V电源电压时功?#24917;?#20026;90 mA。由于尺寸较小,HMC-ALH216放大器适合集成到多芯片模块(MCM)中。应用 点对点无线电 点对多点无线电 军事和太空 测试仪器仪表 方框图...
发表于 02-22 12:08 ? 0次 阅读
HMC-ALH216 低噪声放大器芯片,14 - 27 GHz

HMC396 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 8 GHz

和特点 增益: 12 dB P1dB输出功率: +14 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC396芯片是一款GaAs InGaP异?#24335;?#21452;极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至8 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+16 dBm的HMC混频器LO。 HMC396提供12 dB的增益,+30 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供56 mA电流。 所用的达林顿反馈对可?#26723;投?#27491;常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外?#31185;?#32622;元件。 由于尺寸较小(0.22mm2),HMC396可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 ?测试?#33455;?#20013;的芯片测得,该?#33455;?#36890;过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C3I 空间电信方框图...
发表于 02-22 12:07 ? 22次 阅读
HMC396 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 8 GHz

HMC-APH196 中等功率放大器芯片,17 - 30 GHz

和特点 输出IP3: +31 dBm P1dB: +22 dBm 增益: 20 dB (20 GHz) 电源电压: +4.5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.3 x 1.95 x 0.1 mm 产品详情 HMC-APH196是一款两级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频?#21490;段?#20026;17至30 GHz。 HMC-APH196在20 GHz下提供20 dB增益,采用+4.5V电源电压?#26412;?#26377;+22 dBm输出功率(1 dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-APH196 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:07 ? 0次 阅读
HMC-APH196 中等功率放大器芯片,17 - 30 GHz

HMC-ABH241 中等功率放大器芯片,50 - 66 GHz

和特点 输出IP3: +25 dBm P1dB: +17 dBm 增益: 24 dB 电源电压: +5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.2 x 1.42 x 0.1 mm 产品详情 THMC-ABH241是一款四级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频?#21490;段?#20026;50至66 GHz。 HMC-ABH241提供24 dB增益,采用+5V电源电压?#26412;?#26377;+17 dBm输出功率(1dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-ABH241 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 ?#22363;?高容量链路 无线LAN网桥 军事和太空 方框图...
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HMC-ABH241 中等功率放大器芯片,50 - 66 GHz

HMC-MDB277 DBL-BAL混频器芯片,70 - 90 GHz

和特点 宽IF带宽: DC - 18 GHz 无源双平衡拓扑结构 LO输入功率: +14 dBm 裸片尺寸: 1.55 x 1.4 x 0.1 mm 产品详情 HMC-MDB277是一款无源双平衡MMIC混频器,采用GaAs异?#24335;?#21452;极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术,可用作上变频器或下变频器。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB277双平衡混频器可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混合微电路应用。 这款紧凑型MMIC可以取代混合型双平衡式混频器,而且体积要小得多,性能更加稳定。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 ?#22363;?高容量无线电 FCC E波段通信系统 汽车雷达 传感器 测?#38498;?#27979;量设备 方框图...
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HMC-MDB277 DBL-BAL混频器芯片,70 - 90 GHz

ADM691A 微处理器电源监控器,内置备用电池切换、可调?#27425;?#21608;期与可调看门?#20998;?#26399;、芯片使能信号、看门狗、备用电池功能和4.65V阈值电压、低VCC状态输出、250MA输出电流特性

和特点 低功耗 精密电压监控器 ADM800L/M容差:±2% ?#27425;?#26102;间延迟:200 ms或可调 待机电流:1 μA 备用电池电源自动切换 芯片使能信号快速片内选通 同时提供TSSOP封装(ADM691A)产品详情 ADM691A/ADM693A/ADM800L/ADM800M系列监控电路均为完整的单芯片解决方案,可实现微处理器系统中的电源监控和电池控制功能。这些功能包括微处理器?#27425;弧?#22791;用电池切换、看门狗定时器、CMOS RAM写保护和电源?#25910;?#35686;告。该系列产品是MAX691A/93A/800M系列的升级产品。所有器件均提供16引脚DIP和SO封装。ADM691A同时提供节省空间的TSSOP封装。主要提供下列功能:启动、关断和掉电情况下的上电?#27425;?#36755;出。即使VCC低至1 V,电路仍然可以工作。CMOS RAM、CMOS微处理器或其它低功耗逻辑的备用电池切换。如果可选的看门狗定时器在指定时间内未切换,则提供?#27425;?#33033;冲。1.25 V阈?#23548;?#27874;器,用于电源?#25910;?#35686;告、低电池电量检测或+5 V以外电源的监控。 方框图...
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ADM691A 微处理器电源监控器,内置备用电池切换、可调?#27425;?#21608;期与可调看门?#20998;?#26399;、芯片使能信号、看门狗、备用电池功能和4.65V阈值电压、低VCC状态输出、250MA输出电流特性

MAT14 匹配单芯片四通道晶体管

和特点 低失调电压:400 μV(最大?#25285;?高电流增益:300(最小?#25285;?出色的电流增益匹配度:4%(最大?#25285;?低电压噪声密度(100 Hz、1 mA):3 nV/√Hz(最大?#25285;?出色的对数一致性:体电阻 rBE = 0.6 Ω (最大?#25285;?所?#33455;?#20307;管保证匹配产品详情 MAT14是一款四通道单芯片NPN型晶体管,具有出色的参数匹配性能,适合精密放大器和非线性电路应用。MAT14的性能特征包括:在很宽的集电极电流?#27573;?#20869;提供高增益(最小300)、低噪声(在100 Hz、IC = 1 mA条件下最大值为3 nV/√Hz)以及出色的对数一致性。失调电?#27807;?#22411;?#26723;?#33267;100 μV,精密电流增益匹配度可达4%以内。MAT14的每个晶体管均经过独立测试,符合数据手册性能规格。为使参数匹配(失调电压、输入失调电流和增益匹配),双晶体管组合中的每个晶体管均经过验证,达到了规定的限制要求。在25°C的环境温度和工业温度?#27573;?#20869;保证器件性能。匹配参数的长?#20219;?#23450;性由各晶体管基极-发射极结上的保护二极管保证。这些二极管能够防止反向偏置基极-发射极电流导致β?#25512;?#37197;特性下降。MAT14的出色对数一致?#38498;?#31934;确匹配特性使它非常适合用于对数和反对数电路。MAT14是需要低噪声和高增益的应用的理想选...
发表于 02-22 12:01 ? 30次 阅读
MAT14 匹配单芯片四通道晶体管
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