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實時冗余通信協議可管理電網基礎設施建設

電網是當今世界的重要資源。電力網絡的可靠性至關重要,特別是隨著分布式發電的使用的日益增加,以及引入的微電網在監視和控制方面需要更多本地智能的情況下。電網上的所有系統需要相互協作,通過對電壓、頻率和開關柜狀態的頻繁分析來確保網絡能夠提供穩定而一致的交流電。這就要求在控制中心和變電站等高價值節點之間使用先進的監控和即時可用的低延遲通信,從而確保可嚴密監控每個子系統的狀態。

為協助管理電網基礎設施以及提供必要的控制和通信,配電行業采用了 IEC 61580 標準。采用 IEC 61580 標準后,數字信號可通過基于以太網技術的網絡在變電站和電氣子系統之間傳輸電力狀態信息。為了滿足電網運營商越來越復雜的需求,IEC 61580 標準已逐漸發展為包含眾多時間關鍵型的服務,如 IEEE 1588 同步、面向通用對象的系統事件 (GOOSE) 和采樣值 (SV) 消息傳遞。

實時冗余通信協議可管理電網基礎設施建設

圖 1:IEC 61580 的關鍵要素及其與以太網的關系。

相比許多 IT 系統中使用的傳統客戶端-服務器通信模式,支持發布-訂閱消息傳遞的 GOOSE 協議更適合分布式控制應用。IEC 61580 使客戶端-服務器消息傳遞可分別用于支持遠程站和其它情形下的設備管理,在這些情形下需要直接訪問子站或微電網內節點。

GOOSE 允許將各種電力要素狀態的實時消息中繼到任何需要查看這些消息的設備。例如,每個繼電器針對其包含的需報告狀態的各個不同類型的對象,使用一個識別符來發布信息。其他繼電器和設備可以訂閱目標繼電器發出的狀態消息流。這是通過使用在網絡上多點傳送并在接收節點進行過濾組合方式來實現的,且發布者不需要知道用戶是誰或者他們是否接收到消息。為了獲得最佳性能,GOOSE 不使用常用的 TCP/IP 協議。相反,GOOSE 消息直接放在以太網幀內。同樣,SV 消息傳遞提供了一種數據多點傳送方式,將如電壓測量之類快速變化的值傳送到訂閱的接收器。

IEC 61580 所提供的服務包括符合 IEEE 1588 標準的時間同步。該標準會分配來自高精度主時鐘的定時信號。在今天使用的許多系統中,該主時鐘使用配有一個原子鐘的全球定位系統 (gps) 衛星發送的時間信號。主時鐘支持著一個從時鐘樹,時鐘樹既可歸類為邊界時鐘(存在于網關中,在 GPS 信號失效時可以充當臨時主時鐘),也可歸類為存在于每個系統中的需要同步的普通時鐘。定時信息使用一系列消息交換在該時鐘樹上進行行波傳送,消息交換需要定期重復,以確保所有系統保持同步。

該協議的工作方式是,讓主時鐘向從時鐘發送包含時間戳的同步消息。隨后主時鐘還會發送一個包含稍晚時間戳的后續消息。從時鐘會進行響應,向主時鐘詢問延遲估計的消息,而主時鐘會提供進一步響應,反饋消息的發送時間。此過程結束時,從時鐘將具有四個時間戳,其中三個由主時鐘發送。從時鐘使用序列中的定時信息確定其內部時鐘所需的更改,使其盡可能接近主時鐘。?協議產生定時同步,其在局域網上通常精確到幾十納秒。

IEC 61580 基礎架構的其他關鍵部分包含冗余數據傳輸協議。并行冗余協議 (PRP) 已在 IEC 62439 中標準化,支持雙端口全雙工以太網通信。協議提供像 GOOSE 和 SV 之類上層應用協議所見的 MAC 層接口下的兩個冗余數據包處理流。通常情況下,以太網連接通過不同的以太網交換機,并采用星形布線網絡拓撲。

實時冗余通信協議可管理電網基礎設施建設

圖 2:PRP 冗余協議采用星形連接拓撲。

一種替代方案是高可用性無縫冗余 (HSR),IEC 62439 中同樣有此定義。HSR 采用環形拓撲,每個數據包在復制后,會在環路架構以相反方向轉發至目的地。環路架構無需采用額外的交換機/路由器,可避免數據包在到達目的地前需要通過多個節點而產生的延遲。高級通信控制器可以通過使用直通轉發提供幫助,以盡可能將該延遲降至最低。這種方法不需要數據包在轉發到目的地之前完全解碼。

實時冗余通信協議可管理電網基礎設施建設

圖 3:HSR 冗余協議適用于環形拓撲。

由于需要廣泛過濾傳入的以太網消息,IEC 61580 需要高性能處理,以便減少用于控制算法的計算量。其中一個解決方案是盡量減輕網絡級分析負載,使主機處理器只需處理需要注意的消息。這可以在多核 SoC 上實現,其中一些包含專用智能網絡處理器。例如 texas Instruments 生產的嵌入式微處理器 AM572x Sitara。該公司提供的評估板可輕松探索其網絡功能。

AM572x 基于 ARm?Cortex?-A15 處理器。這個多核器件通過一個 Cortex-M4 擴展了主機處理器,可用于幫助減少 I/O 密集型任務的負擔。該產品還包括一對網絡處理器以及基于 C66x 架構的數字信號處理器,可用于執行數據分析。AM572x 上的 PRU-ICSS 子系統除 ARM 內核的處理外,還提供單獨的處理。該單元包含兩個 PRU,每個都包含一個運行頻率高達 200 MHz 的 32 位 RISC 處理器和一個網絡接口。兩個獨立智能內核可以隨時為 PRP 和 HSR 提供支持。

PRU 內核中的 RISC 處理器沒有通用架構。相反,該內核專門用于處理網絡幀中遇到的打包存儲器映射數據結構的類型。它集成了許多功能,可支持具有緊密實時約束的應用。可以在 PRU 處理器上執行某種程度的數據包過濾。在 AM572x 上, Cortex-M4 為諸如 IEEE 1588、GOOSE 和 SV 之類協議提供了更多空間。

Cortex-M4 可用于分析所有傳入的多點傳送數據包,并比較其應用 ID (APPID) 地址,以實現由 Cortex-A15 上運行的軟件提供的有效訂閱。這樣 M4 可以確定哪些消息需要向上游傳遞。其他數據包則可以丟棄并從存儲器中刪除。

實時冗余通信協議可管理電網基礎設施建設

圖 4:共享存儲器 IPC 支持將 IEC 61580 處理工作卸載到 Cortex-M4 和其他處理器。

這種卸載處理架構中的一個關鍵考慮因素是各處理器如何相互通信。AM572x 提供共享存儲器就是要幫助將消息從一個處理器傳遞到另一個處理器。數據包可以輕易形成隊列,因此可以按順序進行寫入和讀取。關鍵問題是要使用的協議。一種選擇是在 Cortex-A15 上使用 LINUX。這樣可以使用操作系統為進程間通信提供的標準應用編程接口 (API),例如 remoteproc 和 rpmsg。

rpmsg 消息傳遞系統工作方式是通過提供一個虛擬設備反映鏈接到遠程進程的每個通信通道來實現的。通道通過文本名稱標識,并具有本地 rpmsg 地址和遠程 rpmsg 地址。當一個驅動器開始監聽一個通道時,用于接收的回調函數綁定到唯一的 32 位 rpmsg 本地地址。入站消息到達時,rpmsg 內核會根據目的地地址將其發送給相應的驅動器。在提供入站消息有效載荷的同時,通過調用驅動器的接收處理程序來中繼消息。通過這種方案,GOOSE 和 SV 消息的過濾代碼可以將具有特定 APPID 地址的消息傳遞給在 Cortex-A15 上運行的不同處理程序。或者,可以將所有消息進行分組,中繼到公共消息處理器,然后在主處理器上進行排序。

ti 的 Git 存儲庫提供的開源 IPC3.x 庫實現該軟件,以支持在 Linux 環境與 TI rtos 之間使用 rpmsg(適用于 Cortex-M4 和 DsP 內核)。IPC 產品可在 TI 設備上提供相同的 API,從而為硬件自旋、處理器間郵箱和通過 MessageQ API 傳遞的 rpmsg 兼容消息取得設備特定支持。

總結

通過具有消息傳遞支持的多處理功能,像 AM572x 這樣的器件可以有效支持復雜的實時控制協議,例如為管理電網基礎設施的任務關鍵工作而設計的協議。

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英特爾推出Intel Optane存儲器H10,進一步挑戰三星、SK海力士的地位

而對于來勢洶洶的英特爾,三星與 SK 海力士隨即表示,將推出相類似的產品以抗衡英特爾。
的頭像 ICChina 發表于 05-06 15:03 ? 1243次 閱讀
英特爾推出Intel Optane存儲器H10,進一步挑戰三星、SK海力士的地位

使用ADPSS的跨區高壓直流互聯系統高精度仿真建模技術及工程應用

近年來,大量的高壓直流輸電工程已接入交流系統。這已經開始對交直流混合電網,特別是接收端電網產生影響,....
發表于 05-06 08:00 ? 41次 閱讀
使用ADPSS的跨區高壓直流互聯系統高精度仿真建模技術及工程應用

通信和互聯網的發展為社會生活和工業生產提供了巨大的便利同時,也為自身的發展集聚了條件

現在通信業持續發展的瓶頸在后4G時代被不斷放大,互聯網行業也即將進入低速發展階段。通信業對互聯網等經....
的頭像 C114通信網 發表于 05-05 14:43 ? 255次 閱讀
通信和互聯網的發展為社會生活和工業生產提供了巨大的便利同時,也為自身的發展集聚了條件

這個國家,已有 5G用戶23萬!

得益于諸多中國廠商的努力,中國的5G建設如火如荼,但相比韓國還是慢了一步。
的頭像 5G 發表于 05-05 11:19 ? 494次 閱讀
這個國家,已有 5G用戶23萬!

Tridium Niagara4控件開發參考手冊中文版免費下載

Niagara 框架使用 Java 虛擬機作為在各種各樣的操作系統及硬件平臺上的統一的運行時環境,從....
發表于 05-05 08:00 ? 49次 閱讀
Tridium Niagara4控件開發參考手冊中文版免費下載

LE2416RLBXA EEPROM存儲器,2線,串行接口,16 kbits(2k x 8位)

信息 LE2416RLBXA是一個2線串行接口EEPROM。它結合了我們公司的高性能CMOS EEPROM技術,實現了高速和高可靠性。該設備與I C內存協議兼容;因此,它最適合需要小規模可重寫非易失性參數存儲器的應用。 單電源電壓:1.7V至3.6V(讀取) 擦除/寫入周期: 10 循環(頁面寫入) 容量:16k位(2k x 8位) 工作溫度:-40到+ 85°C 接口:雙線串行接口(I C總線) 工作時鐘頻率:400kHz 低功耗: 待機:2μA(最大) 有效(讀取):0.5mA(最大) 自動頁面寫入模式:16字節 讀取模式:順序讀取和隨機讀取 數據保留期:20年 上拉電阻:WP引腳上帶有內置上拉電阻的5kΩ(典型值) 高可靠性...
發表于 04-18 20:23 ? 2次 閱讀
LE2416RLBXA EEPROM存儲器,2線,串行接口,16 kbits(2k x 8位)

TLC5958 具有 48k 位存儲器的 48 通道、16 位 PWM LED 驅動器

信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌電流驅動器,適用于占空比為 1 至 32 的多路復用系統。 每個通道都具有單獨可調的 65536 步長脈寬調制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位顯示存儲器以提升視覺刷新率,同時降低 GS 數據寫入頻率。輸出通道分為三組,每組含 16 個通道。 各組都具有 512 步長顏色亮度控制 (CC) 功能。 全部 48 通道的最大電流值可通過 8 步長全局亮度控制 (BC) 功能設置。 CC 和 BC 可用于調節 LED 驅動器之間的亮度偏差。 可通過一個串行接口端口訪問 GS、CC 和 BC 數據。如需應用手冊:,請通過電子郵件發送請求。TLC5958 有一個錯誤標志:LED 開路檢測 (LOD),可通過串行接口端口讀取。 TLC5958 還具有節電模式,可在全部輸出關閉后將總流耗設為 0.8mA(典型值)。特性 48 通道恒流灌電流輸出具有最大亮度控制 (BC)/最大顏色亮度控制 (CC) 數據的灌電流: 5VCC 時為 25mA 3.3VCC 時為 20mA 全局亮度控制 (BC):3 位(8 步長) 每個顏色組的顏色亮度控制 (CC):9 位(512 步長),三組使用多路復用增強型光譜 (ES) PWM 進行灰度 (GS) 控制:16 位 支持 32 路多路復用的 48K 位灰度數據...
發表于 04-18 20:08 ? 26次 閱讀
TLC5958 具有 48k 位存儲器的 48 通道、16 位 PWM LED 驅動器

TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存儲器功率解決方案、用于嵌入式計算的同步降壓控制器

信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP? Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-μF (2 × 10 μF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...
發表于 04-18 20:05 ? 20次 閱讀
TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存儲器功率解決方案、用于嵌入式計算的同步降壓控制器

TPS53317A 用于 DDR 存儲器終端的 6A 輸出 D-CAP+ 模式同步降壓集成 FET 轉換器

信息描述 TPS53317A 器件是一款設計為主要用于 DDR 終端的集成場效應晶體管 (FET) 同步降壓穩壓器。 它能夠提供一個值為 ? VDDQ的經穩壓輸出,此輸出具有吸收電流和源電流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 運行模式,簡單易用,所需外部組件數較少并可提供快速瞬態響應。 該器件還可用于其他電流要求高達 6A 的負載點 (POL) 穩壓應用。此外,該器件支持具有嚴格電壓調節功能的 6A 完整灌電流輸出。該器件具有兩種開關頻率設定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成壓降支持、外部跟蹤功能、預偏置啟動、輸出軟放電、集成自舉開關、電源正常功能、V5IN 引腳欠壓鎖定 (UVLO) 保護功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 電容。 該器件支持的輸入電壓最高可達 6V,而輸出電壓在 0.45V 至 2.0V 范圍內可調。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引腳超薄四方扁平無引線 (VQFN) 封裝(綠色環保,符合 RoHS 標準并且無鉛),其中應用了 TI 專有的集成 MOSFET 和封裝技術,其額定運行溫度范圍為 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 專有的集成金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 和封裝技術支持 DDR 內存...
發表于 04-18 20:05 ? 20次 閱讀
TPS53317A 用于 DDR 存儲器終端的 6A 輸出 D-CAP+ 模式同步降壓集成 FET 轉換器

TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲器功率解決方案同步降壓

信息描述 TPS51716 用最少總體成本和最小空間提供一個針對 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 內存系統的完整電源。 它集成了同步降壓穩壓器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO (VTT) 和經緩沖的低噪聲基準 (VTTREF)。 TPS51716 采用與 500kHz 或 670kHz 工作頻率相耦合的 D-CAP2? 模式,此模式在無需外部補償電路的情況下可支持陶瓷輸出電容器。 VTTREF 跟蹤 VDDQ/2 的精度高達 0.8%。 能夠提供 2A 灌電流/拉電流峰值電流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷電容器。 此外,此器件特有一個專用的 LDO 電源輸入。TPS51716 提供豐富、實用的功能以及出色的電源性能。 它支持靈活功率級控制,將 VTT 置于 S3 中的高阻抗狀態并在 S4/S5 狀態中將 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放電(軟關閉)。 它包括具有低側 MOSFET RDS(接通)感測的可編程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和熱關斷保護。TPS51716 從 TI 出廠時采用 20引腳,3mm x 3mm QFN 封裝并且其額定環境溫度范圍介于 -40°C 至 85°C 之間。特性 同步降壓控制器 (VDDQ)轉換電壓范圍:3V 至 28V輸出...
發表于 04-18 20:05 ? 23次 閱讀
TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲器功率解決方案同步降壓

TPS51216 DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器,2A LDO,緩沖參考

信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP? mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
發表于 04-18 20:05 ? 30次 閱讀
TPS51216 DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器,2A LDO,緩沖參考

AD5175 單通道、1024位數字變阻器,配有I2C接口和50-TP存儲器

信息優勢和特點 單通道、1024位分辨率 標稱電阻:10 kΩ 50次可編程(50-TP)游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 單電源供電:2.7 V至5.5 V 雙電源供電:±2.5 V至±2.75 V(交流或雙極性工作模式) I2C兼容型接口 游標設置和存儲器回讀 上電時從存儲器刷新 電阻容差存儲在存儲器中 薄型LFCSP、10引腳、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封裝 緊湊型MSOP、10引腳、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封裝產品詳情AD5175是一款單通道1024位數字變阻器,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。該器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的雙電源供電,也可以采用2.7 V至5.5 V的單電源供電,并提供50次可編程(50-TP)存儲器。AD5175的游標設置可通過I2C兼容型數字接口控制。將電阻值編程寫入50-TP存儲器之前,可進行無限次調整。AD5175不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供50次永久編程的機會。在50-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將電阻位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引腳LFCSP和10引腳MSOP兩種封裝。保證工作溫度范圍為?40°C至+125°C擴展...
發表于 04-18 19:35 ? 2次 閱讀
AD5175 單通道、1024位數字變阻器,配有I2C接口和50-TP存儲器

AD5174 單通道、1024位數字變阻器,配有SPI接口和50-TP存儲器

信息優勢和特點 單通道、1024位分辨率 標稱電阻:10 kΩ 50次可編程(50-TP)游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 單電源供電:2.7 V至5.5 V 雙電源供電:±2.5 V至±2.75 V(交流或雙極性工作模式) SPI兼容型接口 游標設置和存儲器回讀 上電時從存儲器刷新 電阻容差存儲在存儲器中 薄型LFCSP、10引腳、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封裝 緊湊型MSOP、10引腳、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封裝產品詳情AD5174是一款單通道1024位數字變阻器,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。 該器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的雙電源供電,也可以采用2.7 V至5.5 V的單電源供電,并提供50次可編程(50-TP)存儲器。AD5174的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入50-TP存儲器之前,可進行無限次調整。AD5174不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供50次永久編程的機會。在50-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將電阻位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引腳LFCSP和10引腳MSOP兩種封裝。保證工作溫度范圍為?40°C至+125°C擴展工業...
發表于 04-18 19:35 ? 4次 閱讀
AD5174 單通道、1024位數字變阻器,配有SPI接口和50-TP存儲器

AD5292 單通道、1%端到端電阻容差(R-TOL)、1024位數字電位計,具有20次可編程存儲器

信息優勢和特點 單通道、256/1024位分辨率 標稱電阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 標稱電阻容差誤差(電阻性能模式):±1%(最大值) 20次可編程游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 分壓器溫度系數:5 ppm/°C +9V至+33V單電源供電 ±9V至±16.5V雙電源供電 欲了解更多特性,請參考數據手冊 下載AD5292-EP (Rev 0)數據手冊(pdf) 溫度范圍:?55°C至+125°C 受控制造基線 唯一封裝/測試廠 唯一制造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 V62/12616 DSCC圖紙號產品詳情AD5292是一款單通道1024位數字電位計1,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。這些器件能夠在寬電壓范圍內工作,支持±10.5 V至±16.5 V的雙電源供電和+21 V至+33 V的單電源供電,同時確保端到端電阻容差誤差小于1%,并具有20次可編程(20-TP)存儲器。業界領先的保證低電阻容差誤差特性可以簡化開環應用,以及精密校準與容差匹配應用。AD5291和AD5292的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入20-TP存儲器之前,可進行無限次調整。這些器件不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供20次永久編程的機...
發表于 04-18 19:31 ? 2次 閱讀
AD5292 單通道、1%端到端電阻容差(R-TOL)、1024位數字電位計,具有20次可編程存儲器

AD5291 單通道、1%端到端電阻容差(R-Tol)、256位數字電位計,具有20次可編程存儲器

信息優勢和特點 單通道、256/1024位分辨率 標稱電阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校準的標稱電阻容差:±1%(電阻性能模式) 20次可編程 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 溫度系數(分壓器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 單電源供電 ±9 V至±16.5 V 雙電源供電 欲了解更多特性,請參考數據手冊 產品詳情AD5291/AD5292屬于ADI公司的digiPOT+? 電位計系列,分別是單通道256/1024位數字電位計1 ,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。這些器件的工作電壓范圍很寬,既可以采用±10.5 V至±16.5 V雙電源供電,也可以采用+21 V至+33 V單電源供電,同時端到端電阻容差誤差小于1%,并提供20次可編程(20-TP)存儲器。業界領先的保證低電阻容差誤差特性可以簡化開環應用,以及精密校準與容差匹配應用。AD5291/AD5292的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入20-TP存儲器之前,可進行無限次調整。這些器件不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供20次永久編程的機會。在20-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將游標位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5291/AD52...
發表于 04-18 19:31 ? 0次 閱讀
AD5291 單通道、1%端到端電阻容差(R-Tol)、256位數字電位計,具有20次可編程存儲器

AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

信息優勢和特點 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存儲器1 存儲游標設置,并具有寫保護功能 上電恢復至EEMEM設置,刷新時間典型值為300 μs EEMEM重寫時間:540 μs(典型值) 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 EEMEM提供12個額外字節,可存儲用戶自定義信息 I2C兼容型串行接口 直接讀寫RDAC2 和EEMEM寄存器 預定義線性遞增/遞減命令 預定義±6 dB階躍變化命令 欲了解更多信息,請參考數據手冊產品詳情AD5253/AD5254分別是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存儲器的數字控制電位計,可實現與機械電位計、調整器和可變電阻相同的電子調整功能。AD5253/AD5254具有多功能編程能力,可以提供多種工作模式,包括讀寫RDAC和EEMEM寄存器、電阻的遞增/遞減、電阻以±6 dB的比例變化、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。主控I2C控制器可以將任何64/256步游標設置寫入RDAC寄存器,并將其存儲在EEMEM中。存儲設置之后,系統上電時這些設置將自動恢復至RDAC寄存器;也可以動態恢復這些設置。在同步或異步通...
發表于 04-18 19:29 ? 0次 閱讀
AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

信息優勢和特點 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存儲器1存儲游標設置,并具有寫保護功能 上電恢復為EEMEM設置,刷新時間典型值為300 μs EEMEM重寫時間:540 μs(典型值) 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 EEMEM提供12個額外字節,可存儲用戶自定義信息 I2C兼容型串行接口 直接讀/寫RDAC2 和EEMEM寄存器 預定義線性遞增/遞減命令 預定義±6 dB階躍變化命令 欲了解更多特性,請參考數據手冊產品詳情AD5253/AD5254分別是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存儲器的數字控制電位計,可實現與機械電位計、調整器和可變電阻相同的電子調整功能。AD5253/AD5254具有多功能編程能力,可以提供多種工作模式,包括讀寫RDAC和EEMEM寄存器、電阻的遞增/遞減、電阻以±6 dB的比例變化、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。主控I2C控制器可以將任何64/256步游標設置寫入RDAC寄存器,并將其存儲在EEMEM中。存儲設置之后,系統上電時這些設置將自動恢復至RDAC寄存器;也可以動態恢復這些設置。在同步或異步通...
發表于 04-18 19:29 ? 2次 閱讀
AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

AD5252 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、256位數字電位計

信息優勢和特點 非易失性存儲器可保存游標設置 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游標設置回讀功能 線性遞增/遞減預定義指令 ±6 dB對數階梯式遞增/遞減預定義指令 單電源:2.7 V至5.5 V 邏輯操作電壓:3 V至5 V 上電復位至EEMEM設置,刷新時間小于1 ms 非易失性存儲器寫保護 數據保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )產品詳情AD5252是一款雙通道、數字控制可變電阻(VR),具有256位分辨率。它可實現與電位計或可變電阻相同的電子調整功能。該器件通過微控制器實現多功能編程,可以提供多種工作與調整模式。在直接編程模式下,可以從微控制器直接加載RDAC寄存器的預設置。在另一種主要工作模式下,可以用以前存儲在EEMEM寄存器中的設置更新RDAC寄存器。當更改RDAC寄存器以確立新的游標位時,可以通過執行EEMEM保存操作,將該設置值保存在EEMEM中。一旦將設置保存在EEMEM寄存器之后,這些值就可以自動傳輸至RDAC寄存器,以便在系統上電時設置游標位。這種操作由內部預設選通脈沖使能;也可以從外部訪問預設值。基本調整模式就是在游標位設置(RDAC)寄...
發表于 04-18 19:29 ? 28次 閱讀
AD5252 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、256位數字電位計

AD5251 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、64位數字電位計

信息優勢和特點 非易失性存儲器保存游標設置 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游標設置回讀功能 線性遞增/遞減預定義指令 ±6 dB對數階梯式遞增/遞減預定義指令 單電源:2.7 V至5.5 V 邏輯操作電壓:3 V至5 V 上電復位至EEMEM設置,刷新時間小于1 ms 非易失性存儲器寫保護 數據保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )產品詳情AD5251是一款雙通道、數字控制可變電阻(VR),具有64位分辨率。它可實現與電位計或可變電阻相同的電子調整功能。該器件通過微控制器實現多功能編程,可以提供多種工作與調整模式。在直接編程模式下,可以從微控制器直接加載RDAC寄存器的預設置。在另一種主要工作模式下,可以用以前存儲在EEMEM寄存器中的設置更新RDAC寄存器。當更改RDAC寄存器以確立新的游標位時,可以通過執行EEMEM保存操作,將該設置值保存在EEMEM中。一旦將設置保存在EEMEM寄存器之后,這些值就可以自動傳輸至RDAC寄存器,以便在系統上電時設置游標位。這種操作由內部預設選通脈沖使能;也可以從外部訪問預設值。基本調整模式就是在游標位設置(RDAC)寄存器...
發表于 04-18 19:29 ? 34次 閱讀
AD5251 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、64位數字電位計

AD5235 非易失性存儲器、雙通道1024位數字電位計

信息優勢和特點 雙通道、1024位分辨率 標稱電阻:25 kΩ、250 kΩ 標稱電阻容差誤差:±8%(最大值) 低溫度系數:35 ppm/°C 2.7 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源 SPI兼容型串行接口 非易失性存儲器存儲游標設置 加電刷新EEMEM設置 永久性存儲器寫保護 電阻容差儲存于EEMEM中 26字節額外非易失性存儲器,用于存儲用戶定義信息 1M編程周期 典型數據保留期:100年 下載AD5235-EP數據手冊 (pdf) 溫度范圍:-40℃至+125°C 受控制造基線 一個裝配/測試廠 一個制造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 V62/11605 DSCC圖紙號產品詳情AD5235是一款雙通道非易失性存儲器1、數控電位計2,擁有1024階躍分辨率,保證最大低電阻容差誤差為±8%。該器件可實現與機械電位計相同的電子調整功能,而且具有增強的分辨率、固態可靠性和出色的低溫度系數性能。通過SPI?-兼容串行接口,AD5235具有靈活的編程能力,支持多達16種工作模式和調節模式,其中包括暫存編程、存儲器存儲和恢復、遞增/遞減、±6 dB/階躍對數抽頭調整和游標設置回讀,同時提供額外的EEMEM1 ,用于存儲用戶定義信息,如其他元件的存儲器數據、查找表、系統標識信息等。...
發表于 04-18 19:28 ? 48次 閱讀
AD5235 非易失性存儲器、雙通道1024位數字電位計

AD5231 非易失性存儲器、1024位數字電位計

信息優勢和特點 1024位分辨率 非易失性存儲器保存游標設置 上電時利用EEMEM設置刷新 EEMEM恢復時間:140 μs(典型值) 完全單調性工作 端接電阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存儲器寫保護 游標設置回讀功能 預定義線性遞增/遞減指令 預定義±6 dB/步對數階梯式遞增/遞減指令 SPI?兼容型串行接口 3 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源供電產品詳情AD5231是一款采用非易失性存儲器*的數字控制電位計**,提供1024階分辨率。它可實現與機械電位計相同的電子調整功能,而且具有增強的分辨率、固態可靠性和遙控能力。該器件功能豐富,可通過一個標準三線式串行接口進行編程,具有16種工作與調整模式,包括便箋式編程、存儲器存儲與恢復、遞增/遞減、±6 dB/步對數階梯式調整、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。在便箋式編程模式下,可以將特定設置直接寫入RDAC寄存器,以設置端子W–A與端子W–B之間的電阻。此設置可以存儲在EEMEM中,并在系統上電時自動傳輸至RDAC寄存器。EEMEM內容可以動態恢復,或者通過外部PR選通脈沖予以恢復;WP功能則可保護EE...
發表于 04-18 19:28 ? 29次 閱讀
AD5231 非易失性存儲器、1024位數字電位計

CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

信息 CAT25128是一個128 kb串行CMOS EEPROM器件,內部組織為16kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。該器件通過片選()輸入啟用。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 輸入可用于暫停與CAT25128設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。適用于新產品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和軟件保護 低功耗CMOS技術 SPI模式(0,0和1,1) 工業和擴展溫度范圍 自定時寫周期 64字節頁寫緩沖區 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或全部EEPROM陣列 1,000,000編程/擦除周期 100年數據保留< / li> 8引腳PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盤TDFN,UDFN封裝 此器件無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準 具有永久寫保護的附加標識頁...
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CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

信息 CAT25256是一個256 kb串行CMOS EEPROM器件,內部組織為32kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。該器件通過片選()輸入啟用。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。輸入可用于暫停與CAT25256設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。適用于新產品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字節頁面寫緩沖區 具有永久寫保護的附加標識頁(新產品) 自定時寫周期 硬件和軟件保護 100年數據保留 1,000,000編程/擦除周期 低功耗CMOS技術 塊寫保護< / li> - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 工業和擴展溫度范圍 8引腳PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盤UDFN和TDFN封裝 此器件無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準...
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CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

信息 CAT25040是一個4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,內部組織為512x8位。安森美半導體先進的CMOS技術大大降低了器件的功耗要求。它具有16字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。該器件通過片選()啟用。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 輸入可用于暫停與CAT25040設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0和1,1) 16字節頁面寫入緩沖區 自定時寫入周期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000編程/擦除周期 100年數據保留 工業和擴展溫度范圍 PDIP,SOIC,TSSOP 8引腳和TDFN,UDFN 8焊盤封裝 這些器件無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準...
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CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,內部組織為1024x8 / 2048x8位。它們具有32字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。該器件通過片選()輸入啟用。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 輸入可用于暫停與CAT25080 / 25160設備的任何串行通信。這些器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0和1,1) 32字節頁寫緩沖區 自定時寫周期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或全部EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000個編程/擦除周期 100年數據保留 工業和擴展溫度范圍 符合RoHS標準的8引腳PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盤TDFN,UDFN封裝...
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CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器
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