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基于Linux的FTDI Android界面解決方案

到了90年代末,一種新的連接方案旨在為連接計算設備創建一個標準。該標準是通用串行總線(USB)。顧名思義,USB已經成為計算設備中事實上的標準。 USB規范定義了嚴格的主機到外設的安排。它還允許多個外圍設備通過一個或多個集線器連接到給定的USB主機。在所有情況下,主機PC最終控制所有外圍設備。外圍設備采用多種形式,如數碼相機,生物識別設備,傳感器和打印機。使用所有這些外設,USB的控制權留給主機PC。 2007年,谷歌與開放手機聯盟一起公開推出了Android操作系統,這是一個基于Linux的操作系統。大約一年后,推出了第一款帶有運行操作系統的ARM CPU的商用手機。該平臺在過去幾年中不斷發展,現已成為移動電話,平板電腦和眾多其他嵌入式應用程序的一部分,如圖1所示。

基于Linux的FTDI Android界面解決方案

圖1:應用示例

FTDI提供以下三種不同的選項,通過USB連接到Android平臺。

在Android平臺上使用Android開放附件模式

利用Android的USB主機功能和FTDI的Android Java驅動程序

利用Android的USB主機功能和FTDI的傳統驅動程序

這些選項中的每一個都包含優點和缺點,在決定使用哪個接口選項時需要考慮三個主要因素。 Android平臺是否支持USB主機或設備? Android平臺或外圍設備是否會提供USB電源?該平臺使用的是哪個版本的Android?

要考慮的第一個界面因素是Android平臺是否支持USB主機。 Android智能手機始終提供USB設備端口,但有些Android平板電腦同時提供USB主機和USB設備端口,如圖2所示.USB設備端口用于連接PC或嵌入式主機,以實現數據傳輸和電池充電。 USB主機端口用于連接USB外圍設備硬件。

基于Linux的FTDI Android界面解決方案

圖2:USB主機和USB設備

許多Android平臺如圖3所示,現在提供On-The-Go(OTG)USB端口,允許USB端口為主機或設備。其中一些OTG端口僅為USB設備,有些將提供USB主機和設備功能。確定用戶的Android平臺是否支持USB主機和/或設備的一種方法是使用電纜類型。 Micro-AB電纜可能同時是USB主機和設備,而Micro-B電纜僅指示USB設備。

基于Linux的FTDI Android界面解決方案

圖3:USB On-The-Go

確定使用哪個接口選項的另一個因素是決定Android平臺或外圍設備是否提供USB電源。根據USB規范,USB主機需要為下游外設提供電源。重要的是要記住,即使Android平臺可能提供USB主機支持,大多數Android設備都是便攜式的,需要電池供電才能運行。利用Android平臺上的USB客戶端端口,無需Android平臺提供電源以及復雜的USB主機連接和軟件堆棧。這樣可以減少Android平臺上的電池尺寸和成本。 Android平臺操作系統版本也在確定使用哪個界面選項時起作用,因為Android Open Accessories需要操作系統版本3.1以及Java驅動程序界面選項需要Android操作系統版本3.2以后。

一旦界面因素是確定后,可以使用三種界面選項之一。第一個界面選項是使用Android開放附件(AOA)模式(圖4)。

基于Linux的FTDI Android界面解決方案

圖4:Android開放附件(AOA)模式

谷歌于2011年5月推出AOA,以解決想要使用USB設備端口從Android平臺控制更簡單的外圍設備的困境。 AOA允許外圍設備使用USB嵌入式主機作為Android平臺的接口。在物理層并通過建立USB連接(又名Enumeration),可以實現傳統的主機 - 外設連接。電力安排也得以維持。外圍平臺可以為Android設備提供完整的500 mA電流。可以將兩個實體(Android主機和AOA外設)視為交換邏輯功能。 Android平臺(USB設備)現在通過已安裝的應用程序(APK)控制外圍設備(USB主機)。使用AOA的唯一要求是Android平臺正在運行操作系統版本3.1。

使用AOA連接外圍設備的一個關鍵優勢是許多Android平臺只能充當USB設備而不是一個USB主機。 AOA利用所有Android平臺擁有的Android的USB設備端口克服了這一局限。由于Android充當USB設備,因此無需提供電源即可節省電池尺寸(圖5)。沒有必要開發特殊的驅動程序來加載Android平臺,也不需要Android平臺的生根。此外,復雜的USB主機連接和軟件堆棧不是Android平臺的責任。

基于Linux的FTDI Android界面解決方案

圖5:使用AOA的好處

要在開放附件模式下連接到Android平臺,平臺必須首先支持該模式。從操作系統版本3.1開始也是如此,但如果用戶已將該功能重新移植到此操作系統版本,則可能在早于2.3.4的操作系統版本上也可用。當Open Accessory設備連接到Android時,它必須向Android發送供應商請求以詢問設備是否支持開放附件模式。

下面的圖6顯示了此Get_Protocol命令的示例。如果答復為否,通訊將在此處停止。如果答復為是,則外圍設備發送其自己的唯一描述符字符串以標識自身。然后有另一個USB供應商請求啟用開放附件模式并在此配置中重新枚舉Android設備。當枚舉為開放附件模式設備時,將有一個USB BULK IN端點和一個USB BULK OUT端點以及控制端點。該接口將是全速(12 Mbit/s)USB,允許數據傳入和傳出。

基于Linux的FTDI Android界面解決方案

圖6:Get_Protocol命令

為了利用Android Open Accessories,FTDI發布了FT311D。這是一款硬編碼的USB Android主機IC,專用于訪問Android平臺上的AOA模式。該IC允許設計人員通過Android USB設備端口將其外圍硬件上的接口橋接到Android平板電腦或智能手機平臺。 FT311D將枚舉Android平臺,并通過客戶的Android平臺及其外圍硬件之間的GPIO,UART,PWM,I 2 C Master,SPI Slave或SPI Master提供接口。只需在FT311D模式選擇引腳上選擇帶上拉/下拉電阻的接口模式,然后插入Android(3.1或更高版本)平臺,通過Androids的開放附件模式通過USB訪問外圍硬件。

FT311D系統允許提供商增強與移動生態系統的連接,能夠創建利用Android平臺資源的應用程序,如高性能處理,加速度計和觸摸屏界面。

UMFT311EV是FT311D的開發模塊。該模塊允許選擇每個FT311D接口:GPIO,UART,PWM,I 2 C主機,SPI從機或SPI主機。該模塊提供帶有電源開關的USB A型連接器,用于控制USB端口的5 V電源。 UMFT311GP是一個帶八個按鈕和八個LEDPCB。它可以插入FT311D開發板以測試GPIO操作。該模塊還有一個可接受5 VDC的電源插座,通過板載3.3 V穩壓器和連接的Android設備為FT311D供電

另一種使用Android Open Accessory模式的FTDI解決方案是FTDI的Vinculum- II(VNC2)系列IC和模塊。這是一個單芯片嵌入式主機,可以編程為包含AOA支持。除了FT311D IC提供的接口外,Vinculum-II還包括第二個USB端口,可配置為USB主機或USB設備。通過為主機配置的Vinculum-II的第二個USB端口,可以為傳統的USB外設添加USB支持,例如已經使用FTDI外設IC或連接為HID外設的條形碼掃描器。

Vinculum-II是基于FTDI USB體驗和客戶要求的第二代產品。它具有定制設計的CPU,與FTDI的第一代USB主機控制器Vinculum-I相比具有更高的處理能力。憑借提供完整解決方案的FTDI競爭優勢,Vinculum-II通過降低設備成本,增強了Vinculum系列的初始成員Vinculum-I。 Vinculum-II支持全速和低速控制,批量,等時和中斷模式數據傳輸。此外,IC支持三種電源模式,一種是掛起模式,有六種不同的封裝。 FTDI的IDE設計工具免費提供給想要創建自己的固件的開發人員。

與FTDI的Vinculum-I IC一樣,預編譯固件可用于快速簡便的開發。 IDE和預編譯固件可從http://www.ftdichip.com/Products/ICs/VNC2.htm獲得。

Vinculum-II也可以使用開發平臺和模塊。 V2-Eval板是一個完整的評估模塊,可提供原型設計區域。 V2DIP模塊結構緊湊,易于集成,并包含USB連接器。 Vinco開發平臺與Arduino屏蔽兼容。

第二個FTDI接口是FTDI的Java D2xx驅動程序,支持USB主機類庫。此界面要求Android平臺支持USB主機并運行OS 3.2版。 Java驅動程序支持FTDI的全套USB橋接從芯片,包括R芯片(232R/245R),H系列(USB2.0高速)和X芯片系列。當其中一個USB設備端口配置為FT232仿真時,也支持Vinculum-II。此庫不需要特殊的root訪問權限來加載驅動程序,開發人員可以輕松地將其調整到應用程序中。

API打包在d2xx.jar中,并與在線提供的演示應用程序源代碼一起分發,網址為http://www.ftdichip.com/Android.htm。使用此接口選項,Android平臺負責提供USB電源。

使用FTDI的JAVA類驅動程序的主要好處是安裝驅動程序不需要在Android平臺上使用root權限。因此,可以在Google Play商店中提供應用程序和驅動程序。 Android平臺不是通過使用FTDI的Java驅動程序來要求FTDI的基于USB主機的芯片(FT311D和Vinculum-II),而是可以與FTDI更廣泛的現有“橋接”芯片集成。

使用FTDI Java D2XX for Android驅動程序,開發機器需要Eclipse IDE和最新的Android SDK,包括ADB程序和Eclipse的ADT插件。 Android開發人員網站上概述了這些工具的安裝和配置。請參閱(http://developer.android.com/sdk/index.html)。 Android設備還應啟用USB調試以允許使用ADB實用程序進行訪問。要在Android平臺上完成此操作,請導航到設置>應用程序>開發,然后選擇USB調試選項。

基于Linux的FTDI Android界面解決方案

圖7:使用FTDI開發應用程序Java D2xx驅動程序

為支持多功能平板電腦使用方案,Google自3.2版開始在Android中添加了USB Host API。在3.2版之前,Android應用程序無法在沒有root訪問權限的情況下自然訪問連接到系統的USB設備。 Android USB Host API消除了這一限制,允許使用附加到Android主機或OTG端口的USB小工具。

FTDI提供適應應用程序的Java類庫,因此開發人員可以專注于所需的輸入和輸出數據。類庫的設計目標是提供對所有D2XX功能的訪問,包括EEPROM功能。 D2xx庫可以輕松地包含在Eclipse中的Android應用程序項目中。為此,首先將庫文件(d2xx.jar)復制到項目的文件夾中,然后轉到“項目” - “屬性”添加它。

基于Linux的FTDI Android界面解決方案

圖8:添加Java D2xx庫步驟1

接下來,從左側列表中選擇“Java Build Path”。然后,選擇“Libraries”選項卡并單擊“Add JARs ...”按鈕(圖9)。

圖9:添加Java D2xx庫步驟2

選擇庫文件“d2xx.jarr”。 D2xxManager類允許訪問驅動程序范圍的信息(如VID和PID組合)以匹配設備信息列表,并提供API以打開返回相應FT_Device對象的目標設備。 FT_Device對象可以執行UART,EEPROM和位模式相關操作,以控制器件狀態或讀/寫數據。當不再需要該設備時,可以使用close()方法關閉FT_Device對象。使用Javadoc完整記錄了D2xx Java庫。有關D2xx Android庫方法,常量和子類的信息,請參見示例項目的/doc目錄中相應的Javadoc條目。

基于Linux的FTDI Android界面解決方案

圖10:添加Java D2xx庫步驟3

FTDI的Java D2xx驅動程序可與FTDI的USB轉串口橋接芯片一起使用,包括X芯片系列。 X芯片器件具有低功耗,低引腳數和功能集,可實現從USB端口橋接到UART,I 2 C,增強型SPI或FIFO接口,易于設計和實現。

主要功能包括:

電池充電器檢測可實現更高電流和更快速充電

廣泛的時鐘功能,包括內部時鐘生成和外部時鐘輸出

內部3.3 V穩壓器

集成晶體和多時間可編程(MTP)存儲器,以節省電路板空間并最大限度地提高靈活性

FTDI Java驅動程序還可以與FTDI的傳統芯片一起使用,例如FTDI的FT2232D和R芯片系列。此外,還可以使用FTDI的USB Hi-Speed單通道,雙通道和四通道芯片。這將為各種行業標準或并行接口提供USB。列出的所有IC都附帶可用的開發模塊。

除支持FTDI的IC和模塊外,FTDI的Java D2xx驅動程序還可以與任何FTDI的Instant USB全速到串行電纜連接。這些包括USB轉RS232,RS422,RS485和TTL電平UART電纜。所有這些都可用于大量配置,包括電源輸出,電線長度和串行端接。

FTDI的高速USB轉數字電纜也可用于與Java D2xx驅動程序一起使用。

由于Vinculum-II有兩個可以為主機或設備獨立配置的USB端口,因此可以將兩個接口選項1和2通過單個芯片。 USB主機端口提供AOA支持。 Java D2xx可通過USB設備端口上的FT232仿真獲得。此解決方案現在支持所有Android設備,無論USB端口類型或電源配置如何。 USB設備端口上的接口可以支持傳統的PC環境,進一步增強了外設的實用性。

第三個集成選項是使用FTDI的傳統驅動程序。 FTDI的VCP驅動程序提供虛擬COM端口,標準D2xx驅動程序通過DLL提供對USB設備的直接訪問。這兩個驅動程序是互斥的,不能同時使用。與Java D2xx驅動程序選項一樣,Android平臺必須具有USB主機,提供USB電源,并將與FTDI現有的橋接芯片,模塊和電纜配合使用。與Java D2xx驅動程序選項不同,Android平臺必須“root”才能安裝VCP和傳統D2xx驅動程序。雖然適用于所有Android版本,但僅在3.2版之前的Android平臺操作系統中建議使用舊版驅動程序。當前的Android平臺操作系統版本建議使用接口選項1,選項2,AOA和Java驅動程序。

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而在手機上,華為第一選擇還是谷歌的安卓操作系統,如果安卓用不了的話,再使用自家操作系統。華為消費者業....
的頭像 倩倩 發表于 08-18 07:11 ? 153次 閱讀
鴻蒙在手機中已經適配完成,達到了商用的程度

鴻蒙一定會是劃時代意義的操作系統,將大有可為

而下一代操作系統就應該是多設備通用的。應用開發出來,可以用在電腦、智能手機、智能電視、智能汽車、智能....
的頭像 倩倩 發表于 08-18 07:06 ? 289次 閱讀
鴻蒙一定會是劃時代意義的操作系統,將大有可為

如何用智能手機Wi-Fi控制機器人

焊鐵和焊絲直流電機已經將電線焊接到其端子上。..。..但它最終會斷裂,您可能需要重新焊接它。所以考慮....
的頭像 39度創意研究所 發表于 08-17 09:14 ? 310次 閱讀
如何用智能手機Wi-Fi控制機器人

小冰入駐vivo和OPPO手機平臺,第三方設備接入數量已達4億臺以上

昨日消息,微軟在北京舉行小冰7代發布會,微軟副總裁沈向洋在會上宣布,小冰正式入駐vivo和OPPO手....
的頭像 牽手一起夢 發表于 08-16 17:38 ? 545次 閱讀
小冰入駐vivo和OPPO手機平臺,第三方設備接入數量已達4億臺以上

愛牽掛S7PRO老人智能電話手表使用體驗

相信大多數家庭因為工作的需要,很多時候不得不將孩子和老人獨自留在家中,可以看到隨著智能穿戴的發展,也....
的頭像 智谷趨勢 發表于 08-16 17:08 ? 373次 閱讀
愛牽掛S7PRO老人智能電話手表使用體驗

iPhone銷量慘敗,今年開始為銷量想消費者的需求妥協

由于去年iPhone銷量的慘敗,今年新款iPhone的定位和價格顯得格外重要。根據目前的爆料情況,亓....
的頭像 智谷趨勢 發表于 08-16 17:02 ? 509次 閱讀
iPhone銷量慘敗,今年開始為銷量想消費者的需求妥協

Micro usb和type-C接口誰才是市場王者

智能化時代的出現,使手機開始成為人們的搶手貨,可以說,以前的山寨時代一去不復返,隨著國內手機品牌的崛....
發表于 08-16 17:00 ? 88次 閱讀
Micro usb和type-C接口誰才是市場王者

如今智能手機的存儲空間是越大越好嗎

隨著現代科技生活日新月異的發展,在我們的生活中,智能手機也是越來越離不開了!大家在選購智能手機的時候....
發表于 08-16 16:29 ? 39次 閱讀
如今智能手機的存儲空間是越大越好嗎

雷軍發狠要小米要做最好的拍照手機,比華為更好!

當智能手機出現時,它是拍照的最佳手機。雖然這只是一張照片,但它以其出色的拍照效果得到了世界各地用戶的....
的頭像 電子發燒友網 發表于 08-16 16:13 ? 522次 閱讀
雷軍發狠要小米要做最好的拍照手機,比華為更好!

2019Q2印度智能手機份額:小米依然領跑,三星位列第二

繼此前Strategy Analytics公布了2019年二季度印度智能手機市場出貨排名之后,今天市....
的頭像 機器人頻道 發表于 08-16 11:51 ? 365次 閱讀
2019Q2印度智能手機份額:小米依然領跑,三星位列第二

折疊屏手機可能是智能手機的未來2024年出貨量將有望達到5000萬

其實,目前阻礙折疊屏手機發展的因素是高昂的成本、多次折疊后屏幕的耐用性和低良品率。不過,這些問題只是....
發表于 08-16 10:41 ? 58次 閱讀
折疊屏手機可能是智能手機的未來2024年出貨量將有望達到5000萬

OPPO是“品牌國際化、運營本地化”不存在海外和中國市場之分

OPPO公司此后將朝內外拉通的方向走,策略上是Glocal(Global+Local)。按照OPPO....
的頭像 中車永濟電機 發表于 08-16 10:41 ? 295次 閱讀
OPPO是“品牌國際化、運營本地化”不存在海外和中國市場之分

大陸存儲發展要如何才能有效的避免落得血本無歸

2018年,全球DRAM市場規模為1000億美元,其中三星、SK海力士、美光三大巨頭市場占有率超過9....
的頭像 電子發燒友網工程師 發表于 08-16 09:10 ? 698次 閱讀
大陸存儲發展要如何才能有效的避免落得血本無歸

鴻蒙系統為時代所需

鴻蒙系統,是需求正確問題,而非技術先進問題。
的頭像 陳翠 發表于 08-16 09:09 ? 260次 閱讀
鴻蒙系統為時代所需

榮耀智慧屏一款搭載鴻蒙OS系統的智能電視

當華為選擇在今年公布鴻蒙OS系統后,很多人都在期待它的廬山真面目。無論是以后非常時期不再受制于人,或....
的頭像 電子發燒友網工程師 發表于 08-16 03:22 ? 154次 閱讀
榮耀智慧屏一款搭載鴻蒙OS系統的智能電視

2020年高端手機將標配ToF鏡頭

預測2020年配備前后VCSEL (前置結構光 & 后置ToF)的 iPhone 11s出貨量約為4....
的頭像 新材料在線 發表于 08-15 18:26 ? 354次 閱讀
2020年高端手機將標配ToF鏡頭

下一代存儲器進入規模量產時代

人工智能與大數據對芯片的處理能力提出了越來越嚴苛的要求,芯片的運算能力和存儲能力正在成為瓶頸,這也是....
的頭像 玩轉單片機 發表于 08-15 18:15 ? 188次 閱讀
下一代存儲器進入規模量產時代

下一代非易失性存儲器市場規模在5年內翻至26倍

在美國舉行的“MRAM開發者日”活動上,Yole Development分析師Simone Bert....
的頭像 亞洲專業音響 發表于 08-15 17:28 ? 112次 閱讀
下一代非易失性存儲器市場規模在5年內翻至26倍

LE2416RLBXA EEPROM存儲器 2線 串行接口 16 kbits(2k x 8位)

RLBXA是一款2線串行接口EEPROM。它結合了我們公司的高性能CMOS EEPROM技術,實現了高速和高可靠性。該器件與I 2 C存儲器協議兼容;因此,它最適合需要小規模可重寫非易失性參數存儲器的應用程序。 特性 優勢 單電源電壓:1.7V至3.6V(讀取) 低功耗 擦除/寫入周期:10 5 周期(頁面寫入) 高可靠性 容量:16k位(2k x 8位) 工作溫度:-40至+ 85°C 接口:雙線串行接口(I 2 C總線) 工作時鐘頻率:400kHz 低功耗:待機: 2μA( max)有效(讀取):0.5mA(最大值) 自動頁面寫入模式:16字節 閱讀模式:順序閱讀和隨機閱讀 數據保留期:20年 上拉電阻:WP引腳上帶有內置上拉電阻的5kΩ(典型值) 高可靠性 應用 手機相機模塊 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 04-18 20:23 ? 8次 閱讀
LE2416RLBXA EEPROM存儲器 2線 串行接口 16 kbits(2k x 8位)

TLC5958 具有 48k 位存儲器的 48 通道、16 位 PWM LED 驅動器

信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌電流驅動器,適用于占空比為 1 至 32 的多路復用系統。 每個通道都具有單獨可調的 65536 步長脈寬調制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位顯示存儲器以提升視覺刷新率,同時降低 GS 數據寫入頻率。輸出通道分為三組,每組含 16 個通道。 各組都具有 512 步長顏色亮度控制 (CC) 功能。 全部 48 通道的最大電流值可通過 8 步長全局亮度控制 (BC) 功能設置。 CC 和 BC 可用于調節 LED 驅動器之間的亮度偏差。 可通過一個串行接口端口訪問 GS、CC 和 BC 數據。如需應用手冊:,請通過電子郵件發送請求。TLC5958 有一個錯誤標志:LED 開路檢測 (LOD),可通過串行接口端口讀取。 TLC5958 還具有節電模式,可在全部輸出關閉后將總流耗設為 0.8mA(典型值)。特性 48 通道恒流灌電流輸出具有最大亮度控制 (BC)/最大顏色亮度控制 (CC) 數據的灌電流: 5VCC 時為 25mA 3.3VCC 時為 20mA 全局亮度控制 (BC):3 位(8 步長) 每個顏色組的顏色亮度控制 (CC):9 位(512 步長),三組使用多路復用增強型光譜 (ES) PWM 進行灰度 (GS) 控制:16 位 支持 32 路多路復用的 48K 位灰度數據...
發表于 04-18 20:08 ? 49次 閱讀
TLC5958 具有 48k 位存儲器的 48 通道、16 位 PWM LED 驅動器

TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存儲器功率解決方案、用于嵌入式計算的同步降壓控制器

信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP? Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-μF (2 × 10 μF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...
發表于 04-18 20:05 ? 38次 閱讀
TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存儲器功率解決方案、用于嵌入式計算的同步降壓控制器

TPS53317A 用于 DDR 存儲器終端的 6A 輸出 D-CAP+ 模式同步降壓集成 FET 轉換器

信息描述 TPS53317A 器件是一款設計為主要用于 DDR 終端的集成場效應晶體管 (FET) 同步降壓穩壓器。 它能夠提供一個值為 ? VDDQ的經穩壓輸出,此輸出具有吸收電流和源電流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 運行模式,簡單易用,所需外部組件數較少并可提供快速瞬態響應。 該器件還可用于其他電流要求高達 6A 的負載點 (POL) 穩壓應用。此外,該器件支持具有嚴格電壓調節功能的 6A 完整灌電流輸出。該器件具有兩種開關頻率設定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成壓降支持、外部跟蹤功能、預偏置啟動、輸出軟放電、集成自舉開關、電源正常功能、V5IN 引腳欠壓鎖定 (UVLO) 保護功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 電容。 該器件支持的輸入電壓最高可達 6V,而輸出電壓在 0.45V 至 2.0V 范圍內可調。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引腳超薄四方扁平無引線 (VQFN) 封裝(綠色環保,符合 RoHS 標準并且無鉛),其中應用了 TI 專有的集成 MOSFET 和封裝技術,其額定運行溫度范圍為 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 專有的集成金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 和封裝技術支持 DDR 內存...
發表于 04-18 20:05 ? 36次 閱讀
TPS53317A 用于 DDR 存儲器終端的 6A 輸出 D-CAP+ 模式同步降壓集成 FET 轉換器

TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲器功率解決方案同步降壓

信息描述 TPS51716 用最少總體成本和最小空間提供一個針對 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 內存系統的完整電源。 它集成了同步降壓穩壓器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO (VTT) 和經緩沖的低噪聲基準 (VTTREF)。 TPS51716 采用與 500kHz 或 670kHz 工作頻率相耦合的 D-CAP2? 模式,此模式在無需外部補償電路的情況下可支持陶瓷輸出電容器。 VTTREF 跟蹤 VDDQ/2 的精度高達 0.8%。 能夠提供 2A 灌電流/拉電流峰值電流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷電容器。 此外,此器件特有一個專用的 LDO 電源輸入。TPS51716 提供豐富、實用的功能以及出色的電源性能。 它支持靈活功率級控制,將 VTT 置于 S3 中的高阻抗狀態并在 S4/S5 狀態中將 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放電(軟關閉)。 它包括具有低側 MOSFET RDS(接通)感測的可編程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和熱關斷保護。TPS51716 從 TI 出廠時采用 20引腳,3mm x 3mm QFN 封裝并且其額定環境溫度范圍介于 -40°C 至 85°C 之間。特性 同步降壓控制器 (VDDQ)轉換電壓范圍:3V 至 28V輸出...
發表于 04-18 20:05 ? 39次 閱讀
TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲器功率解決方案同步降壓

TPS51216 DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器,2A LDO,緩沖參考

信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP? mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
發表于 04-18 20:05 ? 70次 閱讀
TPS51216 DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器,2A LDO,緩沖參考

AD5175 單通道、1024位數字變阻器,配有I2C接口和50-TP存儲器

信息優勢和特點 單通道、1024位分辨率 標稱電阻:10 kΩ 50次可編程(50-TP)游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 單電源供電:2.7 V至5.5 V 雙電源供電:±2.5 V至±2.75 V(交流或雙極性工作模式) I2C兼容型接口 游標設置和存儲器回讀 上電時從存儲器刷新 電阻容差存儲在存儲器中 薄型LFCSP、10引腳、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封裝 緊湊型MSOP、10引腳、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封裝產品詳情AD5175是一款單通道1024位數字變阻器,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。該器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的雙電源供電,也可以采用2.7 V至5.5 V的單電源供電,并提供50次可編程(50-TP)存儲器。AD5175的游標設置可通過I2C兼容型數字接口控制。將電阻值編程寫入50-TP存儲器之前,可進行無限次調整。AD5175不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供50次永久編程的機會。在50-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將電阻位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引腳LFCSP和10引腳MSOP兩種封裝。保證工作溫度范圍為?40°C至+125°C擴展...
發表于 04-18 19:35 ? 6次 閱讀
AD5175 單通道、1024位數字變阻器,配有I2C接口和50-TP存儲器

AD5174 單通道、1024位數字變阻器,配有SPI接口和50-TP存儲器

信息優勢和特點 單通道、1024位分辨率 標稱電阻:10 kΩ 50次可編程(50-TP)游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 單電源供電:2.7 V至5.5 V 雙電源供電:±2.5 V至±2.75 V(交流或雙極性工作模式) SPI兼容型接口 游標設置和存儲器回讀 上電時從存儲器刷新 電阻容差存儲在存儲器中 薄型LFCSP、10引腳、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封裝 緊湊型MSOP、10引腳、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封裝產品詳情AD5174是一款單通道1024位數字變阻器,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。 該器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的雙電源供電,也可以采用2.7 V至5.5 V的單電源供電,并提供50次可編程(50-TP)存儲器。AD5174的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入50-TP存儲器之前,可進行無限次調整。AD5174不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供50次永久編程的機會。在50-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將電阻位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引腳LFCSP和10引腳MSOP兩種封裝。保證工作溫度范圍為?40°C至+125°C擴展工業...
發表于 04-18 19:35 ? 8次 閱讀
AD5174 單通道、1024位數字變阻器,配有SPI接口和50-TP存儲器

AD5292 單通道、1%端到端電阻容差(R-TOL)、1024位數字電位計,具有20次可編程存儲器

信息優勢和特點 單通道、256/1024位分辨率 標稱電阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 標稱電阻容差誤差(電阻性能模式):±1%(最大值) 20次可編程游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 分壓器溫度系數:5 ppm/°C +9V至+33V單電源供電 ±9V至±16.5V雙電源供電 欲了解更多特性,請參考數據手冊 下載AD5292-EP (Rev 0)數據手冊(pdf) 溫度范圍:?55°C至+125°C 受控制造基線 唯一封裝/測試廠 唯一制造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 V62/12616 DSCC圖紙號產品詳情AD5292是一款單通道1024位數字電位計1,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。這些器件能夠在寬電壓范圍內工作,支持±10.5 V至±16.5 V的雙電源供電和+21 V至+33 V的單電源供電,同時確保端到端電阻容差誤差小于1%,并具有20次可編程(20-TP)存儲器。業界領先的保證低電阻容差誤差特性可以簡化開環應用,以及精密校準與容差匹配應用。AD5291和AD5292的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入20-TP存儲器之前,可進行無限次調整。這些器件不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供20次永久編程的機...
發表于 04-18 19:31 ? 8次 閱讀
AD5292 單通道、1%端到端電阻容差(R-TOL)、1024位數字電位計,具有20次可編程存儲器

AD5291 單通道、1%端到端電阻容差(R-Tol)、256位數字電位計,具有20次可編程存儲器

信息優勢和特點 單通道、256/1024位分辨率 標稱電阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校準的標稱電阻容差:±1%(電阻性能模式) 20次可編程 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 溫度系數(分壓器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 單電源供電 ±9 V至±16.5 V 雙電源供電 欲了解更多特性,請參考數據手冊 產品詳情AD5291/AD5292屬于ADI公司的digiPOT+? 電位計系列,分別是單通道256/1024位數字電位計1 ,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。這些器件的工作電壓范圍很寬,既可以采用±10.5 V至±16.5 V雙電源供電,也可以采用+21 V至+33 V單電源供電,同時端到端電阻容差誤差小于1%,并提供20次可編程(20-TP)存儲器。業界領先的保證低電阻容差誤差特性可以簡化開環應用,以及精密校準與容差匹配應用。AD5291/AD5292的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入20-TP存儲器之前,可進行無限次調整。這些器件不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供20次永久編程的機會。在20-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將游標位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5291/AD52...
發表于 04-18 19:31 ? 2次 閱讀
AD5291 單通道、1%端到端電阻容差(R-Tol)、256位數字電位計,具有20次可編程存儲器

AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

信息優勢和特點 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存儲器1 存儲游標設置,并具有寫保護功能 上電恢復至EEMEM設置,刷新時間典型值為300 μs EEMEM重寫時間:540 μs(典型值) 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 EEMEM提供12個額外字節,可存儲用戶自定義信息 I2C兼容型串行接口 直接讀寫RDAC2 和EEMEM寄存器 預定義線性遞增/遞減命令 預定義±6 dB階躍變化命令 欲了解更多信息,請參考數據手冊產品詳情AD5253/AD5254分別是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存儲器的數字控制電位計,可實現與機械電位計、調整器和可變電阻相同的電子調整功能。AD5253/AD5254具有多功能編程能力,可以提供多種工作模式,包括讀寫RDAC和EEMEM寄存器、電阻的遞增/遞減、電阻以±6 dB的比例變化、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。主控I2C控制器可以將任何64/256步游標設置寫入RDAC寄存器,并將其存儲在EEMEM中。存儲設置之后,系統上電時這些設置將自動恢復至RDAC寄存器;也可以動態恢復這些設置。在同步或異步通...
發表于 04-18 19:29 ? 0次 閱讀
AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

信息優勢和特點 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存儲器1存儲游標設置,并具有寫保護功能 上電恢復為EEMEM設置,刷新時間典型值為300 μs EEMEM重寫時間:540 μs(典型值) 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 EEMEM提供12個額外字節,可存儲用戶自定義信息 I2C兼容型串行接口 直接讀/寫RDAC2 和EEMEM寄存器 預定義線性遞增/遞減命令 預定義±6 dB階躍變化命令 欲了解更多特性,請參考數據手冊產品詳情AD5253/AD5254分別是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存儲器的數字控制電位計,可實現與機械電位計、調整器和可變電阻相同的電子調整功能。AD5253/AD5254具有多功能編程能力,可以提供多種工作模式,包括讀寫RDAC和EEMEM寄存器、電阻的遞增/遞減、電阻以±6 dB的比例變化、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。主控I2C控制器可以將任何64/256步游標設置寫入RDAC寄存器,并將其存儲在EEMEM中。存儲設置之后,系統上電時這些設置將自動恢復至RDAC寄存器;也可以動態恢復這些設置。在同步或異步通...
發表于 04-18 19:29 ? 6次 閱讀
AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

AD5252 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、256位數字電位計

信息優勢和特點 非易失性存儲器可保存游標設置 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游標設置回讀功能 線性遞增/遞減預定義指令 ±6 dB對數階梯式遞增/遞減預定義指令 單電源:2.7 V至5.5 V 邏輯操作電壓:3 V至5 V 上電復位至EEMEM設置,刷新時間小于1 ms 非易失性存儲器寫保護 數據保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )產品詳情AD5252是一款雙通道、數字控制可變電阻(VR),具有256位分辨率。它可實現與電位計或可變電阻相同的電子調整功能。該器件通過微控制器實現多功能編程,可以提供多種工作與調整模式。在直接編程模式下,可以從微控制器直接加載RDAC寄存器的預設置。在另一種主要工作模式下,可以用以前存儲在EEMEM寄存器中的設置更新RDAC寄存器。當更改RDAC寄存器以確立新的游標位時,可以通過執行EEMEM保存操作,將該設置值保存在EEMEM中。一旦將設置保存在EEMEM寄存器之后,這些值就可以自動傳輸至RDAC寄存器,以便在系統上電時設置游標位。這種操作由內部預設選通脈沖使能;也可以從外部訪問預設值。基本調整模式就是在游標位設置(RDAC)寄...
發表于 04-18 19:29 ? 44次 閱讀
AD5252 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、256位數字電位計

AD5251 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、64位數字電位計

信息優勢和特點 非易失性存儲器保存游標設置 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游標設置回讀功能 線性遞增/遞減預定義指令 ±6 dB對數階梯式遞增/遞減預定義指令 單電源:2.7 V至5.5 V 邏輯操作電壓:3 V至5 V 上電復位至EEMEM設置,刷新時間小于1 ms 非易失性存儲器寫保護 數據保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )產品詳情AD5251是一款雙通道、數字控制可變電阻(VR),具有64位分辨率。它可實現與電位計或可變電阻相同的電子調整功能。該器件通過微控制器實現多功能編程,可以提供多種工作與調整模式。在直接編程模式下,可以從微控制器直接加載RDAC寄存器的預設置。在另一種主要工作模式下,可以用以前存儲在EEMEM寄存器中的設置更新RDAC寄存器。當更改RDAC寄存器以確立新的游標位時,可以通過執行EEMEM保存操作,將該設置值保存在EEMEM中。一旦將設置保存在EEMEM寄存器之后,這些值就可以自動傳輸至RDAC寄存器,以便在系統上電時設置游標位。這種操作由內部預設選通脈沖使能;也可以從外部訪問預設值。基本調整模式就是在游標位設置(RDAC)寄存器...
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AD5251 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、64位數字電位計

AD5235 非易失性存儲器、雙通道1024位數字電位計

信息優勢和特點 雙通道、1024位分辨率 標稱電阻:25 kΩ、250 kΩ 標稱電阻容差誤差:±8%(最大值) 低溫度系數:35 ppm/°C 2.7 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源 SPI兼容型串行接口 非易失性存儲器存儲游標設置 加電刷新EEMEM設置 永久性存儲器寫保護 電阻容差儲存于EEMEM中 26字節額外非易失性存儲器,用于存儲用戶定義信息 1M編程周期 典型數據保留期:100年 下載AD5235-EP數據手冊 (pdf) 溫度范圍:-40℃至+125°C 受控制造基線 一個裝配/測試廠 一個制造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 V62/11605 DSCC圖紙號產品詳情AD5235是一款雙通道非易失性存儲器1、數控電位計2,擁有1024階躍分辨率,保證最大低電阻容差誤差為±8%。該器件可實現與機械電位計相同的電子調整功能,而且具有增強的分辨率、固態可靠性和出色的低溫度系數性能。通過SPI?-兼容串行接口,AD5235具有靈活的編程能力,支持多達16種工作模式和調節模式,其中包括暫存編程、存儲器存儲和恢復、遞增/遞減、±6 dB/階躍對數抽頭調整和游標設置回讀,同時提供額外的EEMEM1 ,用于存儲用戶定義信息,如其他元件的存儲器數據、查找表、系統標識信息等。...
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AD5235 非易失性存儲器、雙通道1024位數字電位計

AD5231 非易失性存儲器、1024位數字電位計

信息優勢和特點 1024位分辨率 非易失性存儲器保存游標設置 上電時利用EEMEM設置刷新 EEMEM恢復時間:140 μs(典型值) 完全單調性工作 端接電阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存儲器寫保護 游標設置回讀功能 預定義線性遞增/遞減指令 預定義±6 dB/步對數階梯式遞增/遞減指令 SPI?兼容型串行接口 3 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源供電產品詳情AD5231是一款采用非易失性存儲器*的數字控制電位計**,提供1024階分辨率。它可實現與機械電位計相同的電子調整功能,而且具有增強的分辨率、固態可靠性和遙控能力。該器件功能豐富,可通過一個標準三線式串行接口進行編程,具有16種工作與調整模式,包括便箋式編程、存儲器存儲與恢復、遞增/遞減、±6 dB/步對數階梯式調整、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。在便箋式編程模式下,可以將特定設置直接寫入RDAC寄存器,以設置端子W–A與端子W–B之間的電阻。此設置可以存儲在EEMEM中,并在系統上電時自動傳輸至RDAC寄存器。EEMEM內容可以動態恢復,或者通過外部PR選通脈沖予以恢復;WP功能則可保護EE...
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AD5231 非易失性存儲器、1024位數字電位計

CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

28是一個EEPROM串行128-Kb SPI器件,內部組織為16kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25128設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。 適用于新產品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和軟件保護 低功耗CMOS技術 SPI模式(0,0& 1,1) 工業溫度范圍 自定時寫周期 64字節頁面寫緩沖區 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或所有EEPROM陣列 1,000,000計劃/時代se周期 100年數據保留 8引腳SOIC,TSSOP和8焊盤TDFN,UDFN封裝 此設備無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準 其他識別具有永久寫保護的頁面 應用 汽車系統 通訊系統 計算機系統 消費者系統 工業系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

56是一個EEPROM串行256-Kb SPI器件,內部組織為32kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25256設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。 適用于新產品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字節頁面寫緩沖區 具有永久寫保護的附加標識頁(新產品) 自定時寫周期 硬件和軟件保護 100年數據保留期 1,000,000個程序/擦除周期 低功耗CMOS技術 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 工業溫度范圍 8引腳SOIC ,TSSOP和8焊盤UDFN封裝 此器件無鉛,無鹵素/ BFR,以及符合RoHS標準 應用 汽車系統 Communica tions Systems 計算機系統 消費者系統 工業系統 ...
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CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

信息 CAT25040是一個4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,內部組織為512x8位。安森美半導體先進的CMOS技術大大降低了器件的功耗要求。它具有16字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。該器件通過片選()啟用。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 輸入可用于暫停與CAT25040設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0和1,1) 16字節頁面寫入緩沖區 自定時寫入周期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000編程/擦除周期 100年數據保留 工業和擴展溫度范圍 PDIP,SOIC,TSSOP 8引腳和TDFN,UDFN 8焊盤封裝 這些器件無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準...
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CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI

60是一個EEPROM串行16-Kb SPI器件,內部組織為2048x8位。它們具有32字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25160設備的任何串行通信。這些器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0& 1,1) 32字節頁面寫入緩沖區 自定時寫周期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或全部EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000個編程/擦除周期 100年數據保留 工業溫度范圍 符合RoHS標準的8引腳SOIC,T SSOP和8-pad UDFN軟件包 應用 汽車系統 通訊系統 計算機系統 消費者系統 工業系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI
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